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p型锑掺杂氧化亚铜空穴注入层集成于透明ITO电极，用于无酸性PEDOT:PSS的量子点发光二极管
摘要： 研究开发出一种透明p型掺锑氧化亚铜（ACO）与掺锡氧化铟（ITO）复合薄膜作为量子点发光二极管（QD-LEDs）的空穴注入层（HIL）和阳极组合电极，用以替代基于酸性PEDOT:PSS HIL的电极。通过ACO与ITO靶材的梯度共溅射工艺，可在ITO电极表面区域集成梯度p型ACO缓冲层。经正霍尔系数（1.74×10?3）验证，该ACO薄膜的p型导电性使其能有效充当QD-LEDs的空穴注入层。由于p型ACO与ITO电极功函数匹配良好，无酸性PEDOT:PSS的QD-LEDs展现出典型的电流-电压-发光特性。这种采用p型ACO/ITO复合电极的无PEDOT:PSS QD-LED成功运行表明：ACO与ITO阳极的梯度溅射工艺具有更简单的制备步骤，既能降低QD-LEDs成本，又能消除酸性PEDOT:PSS层引发的界面反应，从而提升器件可靠性。
关键词： 掺锡氧化铟、酸性PEDOT:PSS、空穴注入层、p型导电性、掺锑氧化亚铜、量子点发光二极管
更新于2025-11-21 10:59:37
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通过使用氧化石墨烯掺杂的空穴注入层，全溶液法制备的全彩倒置量子点发光二极管性能大幅提升
摘要： 通过简单地将氧化石墨烯（GO）掺入聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）中，开发出用于全彩倒置量子点发光二极管（QLEDs）的溶液加工空穴注入层（HILs）。GO掺杂的PEDOT:PSS混合物具有优异的润湿性，有助于HIL在有机底层上的有效沉积。紫外光电子能谱和拉曼光谱表征表明，GO掺杂的PEDOT:PSS HIL具有功函数增加和导电性提高的优势。因此，GO掺杂的PEDOT:PSS HIL能够通过降低空穴注入势垒和面电阻，促进空穴从顶部阳极注入器件。结果显示，使用GO掺杂的PEDOT:PSS HIL，我们成功制备了高亮度的全溶液加工全彩倒置QLEDs，绿色、红色和蓝色器件的亮度分别显著提升至142165、63318和3019 cd/m2。据我们所知，绿色器件的亮度是全溶液加工倒置绿色QLEDs中最高的。这些结果表明，GO掺杂的PEDOT:PSS是倒置结构全溶液加工QLEDs中高质量HIL的有前途候选材料。
关键词： 光学、量子点发光二极管、空穴注入层、等离子体学、磁性、混合材料、氧化石墨烯、PEDOT:PSS
更新于2025-09-23 15:21:01
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OLED显示器用可溶性空穴注入材料的最新进展
摘要： 我们开发了名为ELsource的可溶性空穴注入材料及墨水，可作为有机发光二极管（OLED）显示器的空穴注入层。OLED是一种光学器件，因此我们研发的空穴注入材料具备该光学器件所需的必要光学特性。
关键词： 折射率、光学特性、可印刷有机发光二极管、柔性、空穴注入层（HIL）、可溶性、空穴注入材料、附着力、空穴注入层材料（HIM）
更新于2025-09-23 15:19:57
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31.4： <i>邀请论文：</i> 印刷OLED与QLED显示器用可溶性空穴注入材料的最新进展
摘要： 我们正在开发可溶性空穴注入材料及墨水（名为ELsource?），该材料可作为OLED显示器中的空穴注入层使用。OLED显示器属于光学器件之一，因此我们研发了具备该光学器件所需光学特性的空穴注入材料。同时，我们还开发了具有更深电离能、适用于QLED显示器的空穴注入材料。
关键词： 空穴注入层，电离势，HIL（空穴注入层缩写），折射率，HIM（可能为特定缩写，此处按常见语境推测保留），印刷的，OLED（有机发光二极管），光学特性，空穴注入材料，QLED（量子点发光二极管），可溶的
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 中国黄山 (2019.8.5-2019.8.8)] 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 采用NiO和NiO:Mg作为空穴注入层的量子点发光二极管
摘要： 量子点发光二极管（QLED）因其优异的光电特性和稳定性备受关注。最常用的空穴注入层（HIL）材料聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）呈酸性，会导致氧化铟锡（ITO）阳极腐蚀。氧化镍（NiO）因其合适的电学性能被广泛用作QLED的空穴传输层（HTL）。由于量子点与HTL之间存在较大能隙，使用NiO时QLED器件会出现电荷注入不平衡。通过镁掺杂可调控NiO的能带结构，这是改善电荷注入和迁移率的有效策略。与未掺杂HIL相比，采用掺杂NiO的器件具有更高的外量子效率（EQE）。本研究表明，镁掺杂NiO可作为QLED及其他光电器件的优质空穴注入层材料。
关键词： QLED，空穴注入层，镁掺杂氧化镍
更新于2025-09-16 10:30:52
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高性能量子点发光二极管中空穴注入层与传输层的优化
摘要： 通过优化空穴注入层（HIL）与空穴传输层（HTL）的平衡关系，实现了高亮度、高效量子点发光二极管（QLED）。分别采用不同浓度的五氧化二钒（V2O5）和聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）溶液构建高效HIL与HTL。通过空穴器件（HOD）表征了空穴注入与传输特性。当HIL采用0.5 wt.% V2O5、HTL采用0.1 wt.% TFB时，QLED器件展现出2.27 cd·A?1的最大电流效率与71,260 cd·m?2的最高亮度，且得益于高效载流子注入传输，器件启亮电压低至2.2 V。该研究为高性能QLED制备提供了重要参考。
关键词： 优化，空穴传输层，发光二极管，量子点，空穴注入层
更新于2025-09-16 10:30:52
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由无机铜掺杂磷酸钨空穴注入层实现的高效稳定倒置量子点发光二极管
摘要： 无机界面缓冲层因其高载流子迁移率和优异的化学/热稳定性，被广泛应用于高效长寿命光电器件中。本文开发了一种溶液法制备的无机磷酸钨（TPA）作为空穴注入层（HIL），应用于倒置量子点发光二极管（QLEDs）中，实现了高达~20%的外量子效率（EQE）。进一步将铜离子掺杂到磷酸钨中（Cu:TPA），由于TPA的空穴迁移率和导电性提高以及空穴注入势垒降低，增强了空穴注入能力，使QLEDs中的电荷平衡更优，开启电压从5 V降至2.5 V。与使用传统有机聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）HIL的器件相比，基于Cu:TPA的器件在初始亮度为100 cd m-2时的半衰期超过3000小时，工作寿命提升了近五倍。
关键词： 量子点发光二极管、空穴注入层、铜掺杂、磷酸钨、电致发光
更新于2025-09-16 10:30:52
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采用过滤阴极真空电弧法制备的四面体非晶碳用于钙钛矿太阳能电池和量子点LED的空穴传输层
摘要： 在本研究中，我们证明了通过过滤阴极真空电?。‵CVA）工艺涂覆的四面体非晶碳（ta-C）薄膜作为钙钛矿太阳能电池（PSCs）和量子点发光二极管（QDLEDs）的空穴传输层（HTL）的可行性。这种p型ta-C薄膜具有多项显著特性：无需热退火或其他后处理即可简便制备、具备合理导电性、光学透过率良好、化学稳定性优异且功函数较高。因此，我们提出了一种通过采用ta-C薄膜作为空穴传输层来提升PSCs和QDLEDs性能的简易有效方法。X射线光电子能谱和紫外光电子能谱检测表明，ta-C空穴传输层的电学特性（sp3/sp2杂化键比例）与功函数参数均适配PSCs和QDLEDs器件需求。此外，为建立器件性能关联，我们详细研究了沉积在ITO阳极上不同厚度（5~20 nm）FCVA制备ta-C薄膜的光学、表面形貌及结构特性。优化后的5 nm厚ITO阳极ta-C薄膜方阻为10.33欧姆/平方，电阻率1.34×10??欧姆·厘米，光学透过率达88.97%。相较于采用p-NiO空穴传输层的参照电池，使用5 nm厚ta-C空穴传输层的PSCs因填充因子提升而获得更高光电转换效率（PCE达10.53%）。同时，配备5 nm厚ta-C空穴注入层的QDLEDs性能优于其他厚度器件。研究表明FCVA制备的ta-C薄膜有望成为下一代PSCs和QDLEDs中的空穴传输层与空穴注入层材料。
关键词： 钙钛矿太阳能电池，空穴传输层（HTL），量子点发光二极管，四面体非晶碳（ta-C）薄膜，空穴注入层（HIL）
更新于2025-09-12 10:27:22