研究目的
开发一种透明的p型掺锑氧化亚铜（ACO）与掺锡氧化铟（ITO）复合薄膜，作为量子点发光二极管（QD-LEDs）的空穴注入层（HIL）和阳极复合电极，以替代基于酸性PEDOT:PSS空穴注入层的电极。
研究成果
该研究成功展示了ACO集成ITO阳极的制备方法，作为量子点发光二极管（QD-LED）中酸性PEDOT:PSS空穴注入层（HIL）的可行替代方案。p型ACO薄膜表现出有效的空穴注入特性，且集成阳极展现出适用于QD-LED应用的合理方阻和光学透过率。采用ACO集成ITO电极的无PEDOT:PSS QD-LED成功运行，表明其制备工艺更简化、成本更低，并通过消除酸性PEDOT:PSS层引发的界面反应提升了器件可靠性。
研究不足
该研究承认，由于价带顶的强局域化以及氧p不对称轨道导致的极低载流子迁移率，p型金属氧化物空穴注入层（HIL）的形成存在局限性。此外，溅射制备的p型ACO薄膜载流子迁移率低于先前报道的电镀ACO薄膜，这归因于其厚度不足20纳米，无法实现有效结晶。
1：实验设计与方法选择：
通过梯度共溅射ACO和ITO靶材，在ITO电极上制备p型ACO缓冲层，从而形成ACO集成ITO阳极。
2：样品选择与数据来源：
样品制备于玻璃基底上，并对ACO薄膜及集成阳极的性能进行了表征。
3：实验设备与材料清单：
采用多阴极磁控溅射系统进行制备。
4：实验步骤与操作流程：
包括溅射ITO层、共溅射ACO和ITO靶材以形成梯度层，以及表征薄膜的电学、光学和结构性能。
5：数据分析方法：
利用霍尔效应测量、紫外-可见光谱、X射线光电子能谱（XPS）和透射电子显微镜（TEM）分析薄膜性能。
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