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由无机铜掺杂磷酸钨空穴注入层实现的高效稳定倒置量子点发光二极管

DOI：10.1021/acsami.9b13394 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 无机界面缓冲层因其高载流子迁移率和优异的化学/热稳定性，被广泛应用于高效长寿命光电器件中。本文开发了一种溶液法制备的无机磷酸钨（TPA）作为空穴注入层（HIL），应用于倒置量子点发光二极管（QLEDs）中，实现了高达~20%的外量子效率（EQE）。进一步将铜离子掺杂到磷酸钨中（Cu:TPA），由于TPA的空穴迁移率和导电性提高以及空穴注入势垒降低，增强了空穴注入能力，使QLEDs中的电荷平衡更优，开启电压从5 V降至2.5 V。与使用传统有机聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）HIL的器件相比，基于Cu:TPA的器件在初始亮度为100 cd m-2时的半衰期超过3000小时，工作寿命提升了近五倍。
作者： Fan Cao，Qianqian Wu，Xuyong Yang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究无机铜掺杂磷酸钨空穴注入层所实现的倒置量子点发光二极管（QLEDs）的效率和稳定性。

研究成果

将铜掺杂剂引入磷酸钨（TPA）作为空穴注入层（HIL），可显著提升倒置量子点发光二极管（QLEDs）的效率和稳定性。与采用传统有机PEDOT:PSS空穴注入层的器件相比，基于Cu:TPA的器件开启电压显著降低、电荷平衡改善，且工作寿命提升了五倍。

研究不足

该研究强调，需进一步优化绝缘层厚度控制及无机空穴注入层的退火温度要求，以提升器件性能和工业适用性。

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