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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • ZIF-8@H:ZnO核壳纳米棒阵列/Si异质结自供电光电探测器,具有超高性能

    摘要: 本征缺陷会降低光电器件的性能与稳定性。本研究展示了一种沸石咪唑酯骨架结构-8(ZIF-8)@H:ZnO核壳纳米棒阵列/Si异质结自供能光电探测器。通过氢化处理与ZIF-8钝化相结合,其光响应特性得到显著提升。该探测器展现出卓越的探测率(~2.14×101?琼斯,1琼斯=1 cm Hz1/2 W?1)、高响应度(~7.07×10? mA W?1)、突出灵敏度(~2.08×1012 cm2 W?1)以及从紫外到近红外的宽光谱探测能力。作为关键性能指标,其响应度较原始ZnO纳米棒阵列/Si异质结光电探测器提升了近5个数量级。更重要的是,该ZIF-8@H:ZnO核壳纳米棒阵列/Si异质结光电探测器的综合性能不仅创下迄今报道的ZnO基光电探测器最高纪录,还可与二维材料、零维材料、拓扑绝缘体、钙钛矿及其他氧化物基自供能光电探测器相媲美。这种新型后处理策略对开发高性能自供能光电探测器具有重要潜力,同时本工作可拓展至其他氧化物基光电器件领域。

    关键词: 核壳纳米棒、异质结、钝化、自供电光电探测器、氧化锌、沸石咪唑酯骨架结构材料-8、氢化

    更新于2025-11-14 17:04:02

  • 快速响应且自供电的Cu?O/ZnO纳米棒异质结紫外-可见光(570 nm)光电探测器

    摘要: 报道了一种基于p-Cu2O/n-ZnO纳米棒异质结构、能实现紫外至可见光(570纳米)传感的快速自供电光电探测器。该探测器具有380至570纳米的光谱响应范围,适用于环境光传感应用。其展现出优异的整流特性,漏电流低且开启电压仅约0.3伏。在380和450纳米波长下,该自供电探测器的响应度分别为0.24安/瓦和0.06安/瓦。紫外光(370纳米)与可见光(450纳米)照射下的上升/恢复时间分别为0.02/0.03秒和0.01/0.02秒。在紫外光照条件下,采用自供电模式可消除ZnO纳米棒导致的持久光电流(或恢复时间)。

    关键词: 快速响应的p-Cu2O/n-ZnO纳米棒异质结、自供电光电探测器、紫外-可见光传感

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 一种基于硫卤化物纳米线的光伏器件简易制造方法

    摘要: 在过去十年中,硫化碘锑(SbSI)的一维纳米结构因其卓越的光铁电特性及有利于可见光高效转化为电信号的窄带隙而备受关注。本文首次报道了一种基于SbSI纳米线制备光伏器件的简便快速方法:通过声化学合成SbSI纳米线,并将SbSI-聚丙烯腈(PAN)复合薄膜旋涂于氧化铟锡(ITO)基底上。为促进高效电荷传输,分别采用二氧化钛(TiO2)和聚(3-己基噻吩)(P3HT)作为电子传输层与空穴传输层。该方法可在温和条件下实现,无需像其他SbSI光伏结构制备方法那样进行高温处理。在100 mW/cm2白光照射下,所制器件平均短路电流密度达1.84(20) μA/cm2,开路电压为69(13) mV。作为无铅纳米材料,SbSI纳米线在太阳能收集及自供电模式运行的光电探测器应用方面极具潜力。

    关键词: 纳米复合材料、自供电光电探测器、纳米线、聚丙烯腈(PAN)、硫碘化锑(SbSI)、光伏器件

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 溶液法制备的高质量溴化铯铅钙钛矿光电探测器及其在可见光通信中的高探测度应用

    摘要: 溴化铯铅(CsPbBr3)钙钛矿光电探测器(PDs)因其超高探测率和快速响应速度,在可见光通信(VLC)领域极具应用潜力。然而采用溶液法制备高质量CsPbBr3多晶薄膜极具挑战性——由于CsBr在前驱体溶液中溶解度低,溶液法制备的CsPbBr3薄膜通常存在不连续和多孔缺陷,严重影响器件性能。本研究提出一种简便改进的顺序旋涂法,成功制备出高结晶度、无针孔的CsPb2Br5-CsPbBr3钙钛矿薄膜(平均晶粒尺寸约1微米)?;诟帽∧さ奈蘅昭ù洳悖℉TL-free)光电探测器展现出优异性能参数:响应度达0.11 A W?1,探测率为1.4×1012琼斯,线性动态范围128.6,开关比1.5×106。其性能超越其他无HTL钙钛矿PDs,可与文献报道的p-i-n结构钙钛矿PDs相媲美。此外,我们将高性能CsPb2Br5-CsPbBr3 PDs应用于VLC系统,通过模拟房间环境将其作为语音指令的自供电信号接收器。这项工作首次将高性能自供电钙钛矿PDs特性与VLC技术相结合,为全无机钙钛矿PDs的广泛应用开辟了新途径。

    关键词: CsPb2Br5-CsPbBr3钙钛矿,自供电光电探测器,可见光通信

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 一维p型NiO纳米线/n型Si异质结的一步制备:自供电紫外光电探测器的开发

    摘要: 尽管已有基于NiO-p/Si-n的光电探测器相关报道,但一维NiO/Si自供电光电探测器的研究仍未被探索。一维材料具有更优的电子迁移率并能提供弹道输运通道,有助于实现高响应度。本研究通过简易静电纺丝技术,成功制备出直接单步沉积于n型硅上的p型NiO纳米线自供电光电探测器。XRD结构分析显示纳米线具有高度结晶性,FESEM图像表明其直径为60~75纳米且分布均匀。通过刺激响应聚合物生长纳米线及高温完全去除的过程,经TGA和XPS分析得以证实。该光电探测器在零偏压下的响应度达9.1 mA W-1,这归因于p型NiO与n型硅形成的界面内建电场,有效促进了光生载流子的分离。此外,在零偏压光照条件下仍存在光生电流,表明产生了内建电压,使器件具备自供电特性。该制备方法可提升光电探测性能,适用于光电器件、传感器及柔性电子等领域。

    关键词: 静电纺丝,氧化镍纳米线,一维材料,自供电光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 钙钛矿透明导电氧化物用于设计透明、柔性和自供电的钙钛矿光电探测器

    摘要: 透明且柔性的电子设备对于满足下一代轻量、灵活和便携设备的需求至关重要。透明导电氧化物(TCO),如氧化铟锡(ITO),是设计透明柔性电子器件的基础材料。然而,铟资源稀缺且价格昂贵。本文报道了在透明柔性云母衬底上制备低成本钙钛矿SrVO3 TCO薄膜,并进一步展示其作为TCO电极构建透明、柔性且自供电的钙钛矿光电探测器。SrVO3在高达105次弯曲后仍保持优异稳定的光学透过率和电导率。该全钙钛矿光电探测器无需外接电源,在极端90°弯曲角度下经历数十次弯曲循环后,仍表现出高响应度(42.5 mA W-1)、快速响应时间(3.09/1.23 ms)以及卓越的柔性和弯曲稳定性。结果表明,像SrVO3这类低成本且结构兼容的过渡金属基钙钛矿氧化物作为TCO电极,在构建高性能透明、柔性及便携智能电子器件方面具有巨大潜力。

    关键词: 透明导电氧化物、柔性、SrVO3、钙钛矿、自供电光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 基于SnS<sub>x</sub>/TiO<sub>2</sub>异质结的具有二元光开关特性的新型自供电光电探测器

    摘要: 二元光响应特性可实现光学信号处理与逻辑运算。由SnSx纳米薄片与TiO2纳米棒阵列(NRs)构成的紫外光电探测器(PDs)通过调控光波长(无需外接电源),利用I型SnSx/TiO2异质结中光生载流子的界面复合,展现出新型二元光开关行为(电流从正到负的转变)。通过调节SnS与SnS2纳米薄片的相比例,可提升自供电SnSx/TiO2 PDs的响应度(R*)、探测率及快速光响应时间。这种自供电紫外PDs中的二元光开关特性,可在无外偏压条件下应用于特殊环境中的加密光学信号处理与成像。

    关键词: 自供电光电探测器,SnSx/TiO2,双光响应,异质结

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 非对称接触诱导的自供电二维In2S3光电探测器:实现高灵敏度与快速响应

    摘要: 近年来,自供电光电探测器因其高灵敏度、快速响应、低功耗、高度集成化和无线操作等优势引发了广泛关注。迄今为止,大多数自供电光电探测器是通过构建异质结构或非对称电极材料接触来实现的,这些方法工艺复杂且生产成本高昂。本文首次通过采用器件架构中的几何不对称性实现自供电运行——将具有非对称接触的三角形非层状二维In2S3薄片与传统光栅效应相结合。重要的是,该器件在零偏压下实现了优异的光响应度(740 mA/W)、高探测率(1.56×101?琼斯)和快速响应时间(9/10毫秒)。此外,这种非对称In2S3/Si光电探测器展现出长期稳定性:即使经过1000次循环运行后,器件性能仍几乎无衰减。总之,上述结果为未来开发高性能、工艺简单且结构简单的自供电光电探测器开辟了新途径。

    关键词: 高灵敏度、快速响应、非对称接触、自供电光电探测器、二维In2S3、光门控效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 自供电、全溶液加工的三层异质结钙钛矿基光电探测器

    摘要: 由纳米/微米结构成的异质结构,结合了纳米系统的优异光捕获特性和微米系统的超快载流子传输能力,在高性能光电探测器中展现出广阔前景。本文报道了一种高灵敏度三层结构器件——将CdS纳米棒(NRs)层夹在ZnO/CsPbBr3界面之间,制备出零偏压下基于钙钛矿的自供电光电探测器ITO/ZnO(70nm)/CdS(150nm)/CsPbBr3(200nm)/Au。在405nm波长、85μW/cm2光照条件下,该器件实现了106的开/关比,响应度达86mA/W,比探测率为6.2×1011 Jones;零偏压下的上升/衰减时间为0.3/0.25秒,这源于强内建电势和内部驱动电场作用。该器件通过抑制界面载流子复合与电荷传输电阻,显著提升了性能,为高性能钙钛矿光电探测器提供了一种新型三层异质结器件方案。

    关键词: 开/关电流比,硫化镉纳米棒(NRs)层,三层异质结,比探测率,梯度能级排列,自供电光电探测器,高性能

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 自供电钙钛矿/硫化镉异质结构光电探测器

    摘要: 甲脒铅卤钙钛矿因其卓越的物理特性及在众多(光)电应用中的潜力而备受关注。本研究展示了基于CH3NH3PbI3(MAPbI3)/CdS异质结构的高性能光电探测器。该自供电MAPbI3/CdS光电探测器展现出优异的工作特性:在730 nm波长下测得最高探测率达2.3×1011琼斯,响应度为0.43 A/W,响应时间小于14毫秒。通过导电原子力显微镜(C-AFM)和光导原子力显微镜(PC-AFM)研究了MAPbI3/CdS结界面处的电荷分离与传输机制。结果表明,晶界区域的光电流高于钙钛矿顶层平坦区域,证实激子优先在钙钛矿薄膜晶界处(即MAPbI3晶体边缘)发生分离。纳米尺度的光电机制研究表明,通过晶界工程可精细调控器件性能,这为高性能光电探测器的制备提供了关键见解。该自供电光电探测器在低能耗光电器件领域具有重要应用前景。

    关键词: 钙钛矿、光电探测器、异质结、光伏、自供电光电探测器、光导原子力显微镜

    更新于2025-09-16 10:30:52