1：实验设计与方法选择：

本研究通过氢化处理与ZIF-8钝化相结合的方法，制备了ZIF-8@H:ZnO核壳纳米棒阵列/Si异质结自供电光电探测器。实验方法包括ZnO纳米棒的水热生长、氢化处理及ZIF-8钝化。

2：样品选择与数据来源：

以p型(100)硅片为基底材料，采用水热法在硅基底上生长ZnO纳米棒。

3：实验设备与材料清单：

设备包括场发射扫描电子显微镜(FESEM, JEOL JSM-6500)、透射电子显微镜(TEM, FEI Tecnai G2 F20/F30)、X射线衍射仪(XRD, X’Pert PRO MPD)、拉曼光谱仪(HORIBA JOBIN YVON, LabRAMHR800)、X射线光电子能谱仪(XPS, ESCALAB 250Xi)、紫外-可见-近红外分光光度计(HITACHI, U-4100)、电子顺磁共振波谱仪(EPR, Bruker A300)和时间分辨光致发光光谱仪(TRPL, FLS920荧光寿命光谱仪)。材料包括ZnO靶材(99.9%)、p型(100)硅片及水热合成用化学试剂。

4：0)、透射电子显微镜(TEM, FEI Tecnai G2 F20/F30)、X射线衍射仪(XRD, X’Pert PRO MPD)、拉曼光谱仪(HORIBA JOBIN YVON, LabRAMHR800)、X射线光电子能谱仪(XPS, ESCALAB 250Xi)、紫外-可见-近红外分光光度计(HITACHI, U-4100)、电子顺磁共振波谱仪(EPR, Bruker A300)和时间分辨光致发光光谱仪(TRPL, FLS920荧光寿命光谱仪)。材料包括ZnO靶材(9%)、p型(100)硅片及水热合成用化学试剂。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：包括硅基底ZnO种子层沉积、ZnO纳米棒水热生长、氢化处理、ZIF-8钝化以及采用钯顶电极和铟底电极的器件制备。

5：数据分析方法：

通过不同光照条件下的光电流测量计算探测率、响应度和灵敏度等性能参数，采用XRD、XPS、拉曼光谱和EPR进行结构与成分分析。