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oe1(光电查) - 科学论文

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  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外臭氧清洗硅表面用于高效光伏应用的透射电子显微镜研究

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。进一步实验证明：1S1R集成结构中选择器亚阈值电流<10 pA，同时提供>10^2的存储单元开/关比及循环过程中>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM器件，该1S1R结构可实现高密度高性能存储应用。

    关键词： 选择性、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、潜通路、1S1R结构

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 用于硅异质结太阳能电池的微晶氧化硅前接触层中的高磷掺杂种子层

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器（RRAM）。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流挑战。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性、125°C稳定工作能力及>10^11的耐久性。进一步展示的1S1R集成方案中，选择器亚阈值电流<10 pA，同时提供>10^2的存储器件开/关比及循环过程中>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM单元，该1S1R结构可实现高密度高性能存储应用。

    关键词： 潜行路径、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、1S1R结构、选择性

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 射频溅射沉积的多晶碲化锌薄膜中的奥弗辛斯基阈值开关效应

    摘要： 据报道，具有低带隙的非晶相硫系化合物材料会呈现欧文斯基阈值开关（OTS）效应，这使其适用于交叉点存储阵列中的选通器件。本文研究表明，多晶结构的ZnTe薄膜同样表现出OTS行为。我们采用射频溅射法制备了近乎化学计量的ZnTe薄膜，X射线衍射分析证实其具有多晶特性。通过紫外-可见光谱透射测量估算出该薄膜的光学带隙为2.2 eV，光致发光测试表明ZnTe薄膜中存在深能级缺陷。尽管这些ZnTe薄膜具有较高带隙的多晶结构，但其I-V特性曲线仍显示出OTS特征：选择比超过10?、亚10纳秒量级的快速阈值开关时间以及高达400°C的热稳定性。ZnTe还展现出超过10?次循环的开关耐久性且阈值电压无漂移，同时保持10?的选择比。因此，我们通过使用宽带隙多晶结构的ZnTe基硫系化合物材料改善了阈值开关特性。退火实验表明该ZnTe薄膜的热预算足以满足堆叠式交叉点阵列结构要求，从而突破了以往硫系开关材料的限制。该材料作为选通器件应用于高密度交叉点存储阵列极具前景。

    关键词： 晶体、双向阈值开关、选择器件、热稳定性、碲化锌

    更新于2025-09-23 01:43:43

  • [IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 用于低过剩电压蓝光LED和UVC LED的混合III族氮化物隧道结

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。此外，我们实现了选择器亚阈值电流<10 pA的1S1R集成方案，在循环过程中保持>10^2的存储开/关比和>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM单元，该1S1R结构可支持高密度高性能存储应用。

    关键词： 潜行路径、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、1S1R结构、选择性

    更新于2025-09-16 10:30:52