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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外臭氧清洗硅表面用于高效光伏应用的透射电子显微镜研究

DOI：10.1109/pvsc40753.2019.8980798 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。进一步实验证明：1S1R集成结构中选择器亚阈值电流<10 pA，同时提供>10^2的存储单元开/关比及循环过程中>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM器件，该1S1R结构可实现高密度高性能存储应用。
作者： Sung Hyun Jo，Tanmay Kumar，Sundar Narayanan，Hagop Nazarian
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究将场辅助超线性阈值选择器与阻变随机存取存储器（RRAM）集成，以克服交叉点RRAM阵列中的潜行电流问题，从而实现高密度、高性能的存储应用。

研究成果

场辅助超线性阈值选择器与RRAM的集成成功解决了交叉点阵列中的漏电流问题，具有高选择性、可调阈值电压和优异耐久性。1S1R结构展现出在高密度高性能存储应用中的巨大潜力，通过先进制造工艺和材料优化有望进一步提升性能。

研究不足

该研究聚焦于将FAST选择器与RRAM集成以实现高密度存储应用，但未探究超过4 Mb阵列的可扩展性，也未研究进一步微型化对器件性能的影响。此外，FAST选择器开关行为背后的确切机制仍需深入探究。

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