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oe1(光电查) - 科学论文

42 条数据
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  • 溶剂对量子点发光二极管溶液法制备ZnO电子传输层界面及薄膜完整性的影响

    摘要: 溶液法制备的ZnO纳米粒子薄膜被广泛用作量子点发光二极管(QLEDs)中的电子传输层(ETLs)。虽然ZnO纳米粒子(NPs)的合成工艺已得到充分优化,但关于分散纳米粒子的溶剂如何影响成膜过程的研究却很少,而成膜过程对薄膜质量及其作为ETLs的功能性有着深远影响。本文全面研究了分散剂对旋涂法制备的ZnO纳米粒子薄膜材料和载流子传输性能的影响。研究选用了粘度和挥发性差异显著的四种低碳醇。以不同醇类分散的ZnO纳米粒子薄膜作为QLED结构的电子传输层,对比了器件的光电性能。研究发现高粘度醇会导致纳米粒子团聚,使薄膜表面粗糙并产生显著漏电流;而使用高挥发性溶剂时,溶剂蒸发过程中剧烈的蒸汽爆发会造成ZnO纳米粒子薄膜出现纳米裂纹。结果表明,合适的溶剂能改善溶液法制备的ZnO薄膜表面粗糙度和致密性,使QLED的电流效率产生30%的差异。这些发现清晰揭示了分散剂在制备高质量纳米粒子薄膜过程中的重要作用,可为提升QLED及各类溶液法器件的性能提供重要指导。

    关键词: 界面、溶剂、量子点发光二极管、电子传输层、氧化锌

    更新于2025-11-21 11:01:37

  • p型锑掺杂氧化亚铜空穴注入层集成于透明ITO电极,用于无酸性PEDOT:PSS的量子点发光二极管

    摘要: 研究开发出一种透明p型掺锑氧化亚铜(ACO)与掺锡氧化铟(ITO)复合薄膜作为量子点发光二极管(QD-LEDs)的空穴注入层(HIL)和阳极组合电极,用以替代基于酸性PEDOT:PSS HIL的电极。通过ACO与ITO靶材的梯度共溅射工艺,可在ITO电极表面区域集成梯度p型ACO缓冲层。经正霍尔系数(1.74×10?3)验证,该ACO薄膜的p型导电性使其能有效充当QD-LEDs的空穴注入层。由于p型ACO与ITO电极功函数匹配良好,无酸性PEDOT:PSS的QD-LEDs展现出典型的电流-电压-发光特性。这种采用p型ACO/ITO复合电极的无PEDOT:PSS QD-LED成功运行表明:ACO与ITO阳极的梯度溅射工艺具有更简单的制备步骤,既能降低QD-LEDs成本,又能消除酸性PEDOT:PSS层引发的界面反应,从而提升器件可靠性。

    关键词: 掺锡氧化铟、酸性PEDOT:PSS、空穴注入层、p型导电性、掺锑氧化亚铜、量子点发光二极管

    更新于2025-11-21 10:59:37

  • 配体辅助合成单分散小尺寸氧化锌纳米颗粒及其在电致发光器件中的应用

    摘要: 已证明氧化锌纳米粒子薄膜是量子点发光二极管(QD-LEDs)中最佳的电子传输材料。因此,合成分散性好且尺寸可控的氧化锌纳米粒子极具价值。本工作提出一种简便且可重复的方法,通过使用短链乙醇胺作为封端剂实现分散良好、单分散的氧化锌纳米粒子的可控合成。研究发现乙醇胺通过调控成核与生长过程,在单分散氧化锌纳米粒子合成中起关键作用,从而可获得分散良好且尺寸可控的产物。与传统无配体方法相比,本配体辅助法具有更高重现性与更好可控性。值得注意的是,基于配体辅助氧化锌的QD-LEDs展现出优于传统氧化锌的电致发光(EL)性能。

    关键词: 纳米粒子,氧化锌,量子点发光二极管,电致发光

    更新于2025-11-14 17:04:02

  • 具有长T<sub>95</sub>工作寿命的高稳定性红色量子点发光二极管

    摘要: 具有优异性能(如外量子效率EQE和使用寿命)的量子点发光二极管(QLEDs)已基本满足低亮度显示需求。然而高亮度下较短的工作寿命限制了QLEDs在户外显示和照明领域的应用。本研究通过采用锂镁共掺杂且包覆氧化镁壳层的氧化锌纳米粒子层作为电子传输层(ETL),开发出高效稳定的红色QLED。该优化器件峰值EQE高达20.6%,在高电流下效率滚降小,在1000 cd m-2亮度下T95寿命超过11000小时,是目前实现的最稳定红色QLED。其长期稳定性提升归因于使用共掺杂及壳层包覆的氧化锌ETL——通过降低电子注入量改善了器件中的电荷平衡。

    关键词: EQE(外量子效率)、QLEDs(量子点发光二极管)、电子传输层(ETL)、氧化镁包覆的氧化锌、量子点发光二极管、外量子效率、锂镁共掺杂、ZLMO@MO(锂镁共掺杂材料)、寿命

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 喷墨打印量子点发光二极管的高效率与稳定性

    摘要: 喷墨打印工艺制备的器件效率低下且快速退化,阻碍了量子点发光二极管在下一代显示技术中的应用。如何通过合适的配体钝化量子点表面阴离子和阳离子欠配位位点所形成的陷阱态,以满足喷墨打印加工需求,仍是亟待解决的问题。本研究采用量子点双离子钝化思路,首次报道了外量子效率超过16%、半衰期达172.1万小时的喷墨打印量子点发光二极管。该液相配体交换工艺完全符合喷墨打印量产要求,其性能表现真正开启了量子点发光二极管工业应用的大门。

    关键词: 量子点发光二极管、喷墨打印、外量子效率、双离子钝化、寿命

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过使用氧化石墨烯掺杂的空穴注入层,全溶液法制备的全彩倒置量子点发光二极管性能大幅提升

    摘要: 通过简单地将氧化石墨烯(GO)掺入聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)中,开发出用于全彩倒置量子点发光二极管(QLEDs)的溶液加工空穴注入层(HILs)。GO掺杂的PEDOT:PSS混合物具有优异的润湿性,有助于HIL在有机底层上的有效沉积。紫外光电子能谱和拉曼光谱表征表明,GO掺杂的PEDOT:PSS HIL具有功函数增加和导电性提高的优势。因此,GO掺杂的PEDOT:PSS HIL能够通过降低空穴注入势垒和面电阻,促进空穴从顶部阳极注入器件。结果显示,使用GO掺杂的PEDOT:PSS HIL,我们成功制备了高亮度的全溶液加工全彩倒置QLEDs,绿色、红色和蓝色器件的亮度分别显著提升至142165、63318和3019 cd/m2。据我们所知,绿色器件的亮度是全溶液加工倒置绿色QLEDs中最高的。这些结果表明,GO掺杂的PEDOT:PSS是倒置结构全溶液加工QLEDs中高质量HIL的有前途候选材料。

    关键词: 光学、量子点发光二极管、空穴注入层、等离子体学、磁性、混合材料、氧化石墨烯、PEDOT:PSS

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 量子点发光二极管中的加密混沌

    摘要: 基于两个混沌量子点发光二极管(QD-LED)同步的通信方案进行了理论研究。通过光学反馈在QD-LED中产生混沌现象。通过改变发射器与接收器之间的单向耦合强度实现混沌同步。该通信方案通过成功传输信息得到验证。

    关键词: 混沌同步、光反馈、量子点发光二极管、通信

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 通过级联空穴传输层显著提升量子点发光器件的稳定性

    摘要: 本研究探讨了空穴传输层(HTL)对电致发光量子点发光器件(QDLEDs)稳定性的影响。通过采用具有最高占据分子轨道能级连续阶跃的级联HTL(CHTL)结构,QDLEDs的电致发光半衰期(LT50)可提升25倍。采用该方案时,基于常规核壳结构量子点发光体的红光QDLEDs获得了864,000小时(初始亮度100 cd m-2条件下)的LT50。CHTL主要通过将过量空穴积累从QD/HTL界面转移至层间HTL/HTL界面来提升QDLED稳定性。CHTL中更宽的电子-空穴复合区域(针对从QD层泄漏的电子)使得QD/HTL界面的HTL降解程度降低。本工作凸显了HTL对QDLED稳定性的重要影响,并创造了基于常规核壳量子点结构QDLED的最长LT50记录。

    关键词: 量子点、电致发光稳定性、激子-极化子相互作用、量子点发光二极管、有机空穴传输层、激子诱导降解

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 通过多尺度纳米结构从量子点发光二极管中提取光

    摘要: 通过在量子点发光二极管(QLED)外部引入光学功能结构来提升光提取效率,进而增强外量子效率(EQE),这对QLED在显示与照明产业化中的应用至关重要。尽管通过控制量子点合成已优化了QLED效率,但器件内部的全内反射、波导效应和金属表面吸收导致低出光耦合效率问题仍未解决。本研究采用附着于玻璃基板外表面的多尺度纳米结构来提取QLED发光层中被捕获的光。结果表明,外量子效率和亮度分别从12.29%提升至17.94%、从122400 cd m?2提升至178700 cd m?2。最大外量子效率和电流效率分别达到21.3%和88.3 cd A?1,这是目前已报道带光提取纳米结构的绿色QLED中的最佳性能。性能提升归因于QLED外表面多尺度纳米结构消除了全内反射。此外,时域有限差分法(FDTD)模拟结果也证实该多尺度纳米结构降低了光捕获效应。这种新型光提取纳米结构的设计可进一步提升QLED效率,推动其在显示与照明产业化中的应用。

    关键词: 量子点发光二极管、多尺度纳米结构、光提取效率、外量子效率、显示与照明产业化

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 环保型磷化铟基量子点助力高效广色域显示

    摘要: 量子点(QD)被视为当前及下一代显示器的理想发光材料。因此,迫切需要开发出兼具高效能、更优色彩纯度且环境友好的量子点。基于此,本文探讨了通过调节波长与光谱宽度来优化亮度与色域匹配的策略,并系统分析了影响光物理特性的关键参数——包括InP量子点核的均匀性、ZnSe壳层的厚度与形貌、电子/空穴分布、表面悬挂缺陷、氧化相态以及晶体结构中的堆垛层错等。同时提出需通过定量分析揭示配体本质,以拓展实际应用场景。近期研究表明,采用具有可控壳层结构的InP基量子点制备的QD-LED已展现出商业化潜力。为进一步发展,还需通过调控无机与有机钝化结构来提升器件稳定性。

    关键词: 量子点、基于磷化铟、量子点发光二极管、光物理特性、环保、广色域显示器、配体交换

    更新于2025-09-23 15:19:57