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[2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 日本神户 (2018.10.22-2018.10.25)] 2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 基于铌酸锂衬底采用低声速瑞利表面波的无SH型杂散响应TC-SAW谐振器
摘要： 本文描述了低声速（LAV）瑞利型声表面波（SAW）结构中由剪切水平（SH）型SAW器件引发的伪共振行为。众所周知，在铌酸锂（LN）衬底上，SH型SAW或瑞利型SAW器件会出现在主谐振峰附近，从而对器件特性产生各种不良影响。然而这些现象在实际应用中往往不可忽略。为探究该问题的解决方案，我们通过理论与实验研究了LN衬底上低声速（LAV）瑞利型SAW结构中SH型SAW谐振的变化情况——这是一种结合高性能温度补偿（TC）SAW器件（TC-SAW）技术的新LAV-SAW结构。研究结果表明：即使改变各类参数，SH型SAW仍可近乎消除。此外，采用该新技术还能实现尺寸极小且具备温度补偿功能的SAW器件。
关键词： 温度补偿、声表面波（SAW）、瑞利型声表面波（Rayleigh-type SAW）、声速、铌酸锂（LiNbO3）、SH型声表面波（SH-type SAW）
更新于2025-09-23 15:22:29
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飞秒激光写入法制备的铌酸锂晶体中三维偏振依赖波导阵列
摘要： 波导阵列是集成光学中的基本光子元件。我们提出一种基于飞秒激光刻写铌酸锂（LiNbO3）晶体的三维混合集成波导阵列，通过设计激光诱导轨迹的布局实现。该结构横截面呈十字形几何构型。光通过此波导阵列传播时呈现偏振依赖特性，使得在线偏振光激发下能沿垂直或水平方向实现模式耦合。这项工作为利用铌酸锂飞秒激光刻写技术制备光子系统中的偏振相关光学器件开辟了新途径。
关键词： 飞秒激光写入、波导阵列、偏振相关器件、铌酸锂（LiNbO3）
更新于2025-09-19 17:13:59
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基于高Q值铌酸锂MEMS谐振器与65纳米CMOS的可调低功耗振荡器
摘要： 本文提出了一种压电射频微机电系统(MEMS)谐振器与CMOS协同设计的全面指南，旨在实现能充分发挥两种平台优势的电压控制MEMS振荡器(VCMO)。该分析聚焦于调谐范围、功耗、增益和相位噪声之间的权衡关系，其结论具有普适性(适用于各类压电谐振器)，同时针对Colpitts结构VCMO进行了专项研究。基于此项研究，首次展示了基于高Q值铌酸锂(LiNbO3)微机械谐振器与CMOS异质集成的VCMO。采用系列谐振频率为171.1 MHz、Q值为410、机电耦合系数为12.7%的LiNbO3谐振器阵列，并运用台积电65纳米射频低压CMOS工艺实现占位面积220×70微米的反馈与调谐电路。通过编程连接至谐振器的二进制加权数字电容阵列和变容二极管实现VCMO的频率调谐。实测最佳相位噪声性能为：在178.23 MHz和175.83 MHz载波下，分别对应1 kHz和10 MHz频偏时达到-72 dBc/Hz和-153 dBc/Hz。该VCMO在1.2V供电下仅消耗60 μA直流电流，实现2.4 MHz调谐范围(约1.4%小数调谐范围)。此类VCMO可应用于物联网新兴场景，实现超低功耗、低相位噪声的宽带射频信号合成。
关键词： 射频微机电系统（MEMS）、铌酸锂（LiNbO3）、相位噪声、振荡器、物联网（IoT）
更新于2025-09-10 09:29:36
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日至28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 一种工作频率为直流至40GHz、高线性度、低直流功耗的单片砷化镓分布式放大器，作为高速率预驱动器
摘要： 本文介绍了一款用于光驱动应用的六级砷化镓单片微波集成电路（MMIC）分布式放大器（DA）的设计与性能。该放大器采用商用0.15微米砷化镓p-HEMT工艺制造，在40GHz的3dB带宽内实现13dB小信号增益，功耗为550毫瓦。其群延迟时间变化在30GHz范围内仅±7皮秒。输出功率高于16dBm（4Vpp），使其适合作为铌酸锂（LiNbO3）光调制器驱动器的前置放大器。通过眼图质量评估，该分布式放大器作为12.5GBps PAM-4（25Gbps）光系统调制器驱动器的组成部分得到了验证。
关键词： 光驱、铌酸锂（LiNbO3）光学调制器、电光调制、宽带放大器、光放大器、调制器、行波放大器、预驱动器、单片微波集成电路（MMIC）、分布式放大器
更新于2025-09-04 15:30:14