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oe1(光电查) - 科学论文

39 条数据
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  • 硅光电倍增管在极高中子辐照后的低温特性

    摘要： CMS高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）二期升级设计中，桶部定时层（BTL）和紧邻量能器探测器（BH/CEH）采用硅光电倍增管（SiPM）。这两个子探测器中的SiPM将承受约10^14 n/cm2的1 MeV等效剂量辐射。为降低SiPM噪声，设计方案将其保持在-30°C低温环境。来自两家制造商的不同SiPM样品分别在斯洛文尼亚JSI研究所TRIGA反应堆中接受总剂量2×10^12和5×10^13的辐照。SiPM噪声主要源于其内部强电场导致的陷阱辅助隧穿效应。我们因此研究了FBK-irst和Hamamatsu公司标准高内场与特殊低场SiPM在+10°C至-40°C区间的噪声特性，并通过加速退火工艺分析了初始表征阶段后的噪声衰减情况。

    关键词： 硅光电倍增管、MPPC（多像素光子计数器）、CMS（紧凑渺子线圈）、GAPD（雪崩光电二极管）、辐射损伤

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有p型六方氮化硼的AlGaN日盲雪崩光电二极管

    摘要： 为提升AlGaN日盲雪崩光电二极管（APD）的性能，我们提出了一种采用p型六方氮化硼（p-hBN）层的吸收-倍增分离型AlGaN APD结构。模拟结果表明：由于p-hBN具有更宽的带隙、更高的p型掺杂效率及更小的自发极化效应，相比传统AlGaN APD，该p-hBN/AlGaN APD使击穿电压显著降低约23%。此外，由于h-BN在日盲区外长波方向完全透明，所设计的APD即使在大反向偏压下仍保持固有的日盲特性。研究结果同时证实：该p-hBN/AlGaN APD在击穿电压下的低频和中频范围内具有更低的闪烁噪声与碰撞电离噪声。

    关键词： h-BN、日盲、雪崩光电二极管、AlGaN

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 提高位置敏感探测器分辨率的新方法：移动电流-电压特性

    摘要： 位置敏感探测器（PSD）被广泛应用于确定光学信号坐标并对其进行连续跟踪。目前，关于进一步提高PSD空间分辨率可能性的研究仍是热点课题。本文展示了基于具有整体工作原理的PSD Multiscan器件实现超高分辨率的研究成果，其工作原理与横向PSD存在本质差异。PSD Multiscan设计采用背靠背光电二极管阵列，通过传感器移动的电流-电压特性直接在PSD上形成光信号坐标读数，输出与光斑中点坐标成正比的电位。该测量原理能持续比较近乎相等的光电流，在整个感测区域保持高信噪比。PSD Multiscan电子电路无需计算操作，可引入非线性放大元件，从而显著提升本研究所开发传感器基器件的分辨率（高达0.05微米）。研究表明，不同长度探测器的分辨率均保持高位，且与光斑在感测区域的位置无关。

    关键词： 模拟电子电路，紫外、可见光及红外光子探测器（固态）（PIN二极管、雪崩光电二极管、硅光电倍增管、盖革模式雪崩光电二极管、电荷耦合器件、电子轰击电荷耦合器件、电子倍增电荷耦合器件等），光学探测器读出概念

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2019年第八届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA） - 罗马尼亚布拉索夫（2019.11.3-2019.11.6）] 2019年第八届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA） - 风速与湿度对光伏组件性能的影响

    摘要： 本文提出了一种基于过剩噪声因子F与增益M之间线性关系来精确测定雪崩光电二极管(APD)量子效率和初级光电流的方法。当非局域碰撞电离效应主导噪声与增益关系时，该新方法可用于准确比较现代APD设计的性能。

    关键词： 雪崩光电二极管（APD）、过剩噪声因子、近红外探测、碰撞电离

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 采用APD评估设计光纤通信链路中的啁啾光纤布拉格光栅

    摘要： 光纤布拉格光栅（FBG）在光通信中的应用是一个不断发展的领域。本研究论文采用多种啁啾光纤光栅（CFBG）与雪崩光电二极管（APD）构建了光纤通信（OFC）链路。固定参数设置为20 Gbps数据率和归零调制格式。该设计链路针对不同光纤长度（100、200、300、400和500公里）、各类CFBG（线性、二次、平方根及立方根型）配合高斯切趾函数、不同光栅长度（10、20、30、40和50毫米）以及工作温度（5°C、10°C、15°C、20°C、25°C、30°C）进行了评估。同时测试了含/不含CFBG的APD性能。选取Q因子、误码率和眼图作为性能评价指标。结果表明采用CFBG与APD的光纤通信链路性能更优。在色散补偿方面，当光栅长度为50毫米以实现最大传输距离时，具有高斯切趾函数的线性CFBG相比其他类型CFBG展现出最佳补偿效果。

    关键词： 误码率（BER）、光纤通信（OFC）、眼图、啁啾光纤布拉格光栅（CFBG）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、雪崩光电二极管（APD）、Q因子

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议（CAOL） - 保加利亚索佐波尔（2019.9.6-2019.9.8）] 2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议（CAOL） - 弛豫过程对激光染料特性的影响

    摘要： 提出了一种基于过剩噪声因子F与增益M之间线性关系来精确测定雪崩光电二极管(APD)量子效率和初级光电流的方法。当非局域碰撞电离效应主导噪声与增益关系时，该新方法可用于准确比较现代APD设计的性能。

    关键词： 雪崩光电二极管（APD）、近红外探测、碰撞电离、过剩噪声因子

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 用于光通信的高速III-V族雪崩光电二极管——前沿与拓展应用

    摘要： 雪崩光电二极管（APD）是一种将光信号转换并放大为电信号的半导体器件，广泛应用于光通信、成像及医疗领域。光通信对APD的主要要求是高速运行以实现高数据速率，以及高灵敏度运行以延长传输距离。本文重点综述了基于带隙工程优势的III-V族材料体系在100Gbit/s光通信高速APD方面的研究成果，并展望了APD在未来光通信中的应用前景。

    关键词： 高速运行、高灵敏度运行、III-V族材料体系、光通信、雪崩光电二极管

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 光伏发电不确定性下的数据驱动型家庭能源调度策略

    摘要： 我们报道了采用铍离子注入工艺制备的InAs平面雪崩光电二极管（APD）。该平面APD具有2×101? cm?3的低本底掺杂浓度和接近8微米的大耗尽宽度。在200K温度下施加-26V电压时，这种厚耗尽结构实现了330倍增益且未引发显著隧穿电流。器件内部未观测到边缘击穿现象。表面漏电流较低，在200K温度、-20V偏压条件下，其归一化暗电流密度仅为400 μA/cm2（增益条件下）。

    关键词： 雪崩光电二极管、离子注入、红外探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 盖革模式4H-SiC雪崩光电二极管的被动淬灭电子学

    摘要： 我们设计并制备了具有正斜角台面的4H-SiC紫外雪崩光电二极管(APD)，该器件在盖革模式下工作时表现出低漏电流和高雪崩增益。通过采用无源淬灭电路研究了SiC APD的单光子计数性能?；诠庾蛹剖龀宓某跏汲鱿?，提出了一种确定APD精确击穿电压的新方法。同时评估了APD的光子计数率和暗计数率随淬灭电阻的变化关系。

    关键词： 4H-SiC、单光子计数、被动淬灭、盖革模式、雪崩光电二极管、击穿电压

    更新于2025-09-23 01:15:40

  • [IEEE 2018年第七届可靠性、信息通信技术与优化国际会议（趋势与未来方向）(ICRITO) - 印度诺伊达（2018.8.29-2018.8.31）] 2018年第七届可靠性、信息通信技术与优化国际会议（趋势与未来方向）(ICRITO) - 自由空间光通信内部参数分析

    摘要： 自由空间光通信（FSO）是一种高效技术，因其能提供更高的信号带宽和更低的传输功耗。该通信性能取决于光束发散角、波长等内部参数，研究目的是优化这些因素以实现最大输出和吞吐量。本文设计了采用PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）作为接收端的FSO模型，通过该模型在不同比特率条件下，估算了多种光束发散角和波长对应的Q因子，并对两种光电二极管的测试结果进行了对比分析。

    关键词： 波长，自由空间光通信，光束发散，雪崩光电二极管，PIN光电二极管，品质因数

    更新于2025-09-19 17:13:59