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oe1(光电查) - 科学论文

14 条数据
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  • 由固态弹性体电解质调控的高度可拉伸、高迁移率、自支撑全有机晶体管

    摘要： 基于可变形固态弹性体电解质，采用离子热塑性聚氨酯(i-TPU)制备出具有高度拉伸性、高迁移率和独立式共面型全有机晶体管，在机械刺激下表现出高可靠性及低电压工作特性。与传统离子介电材料不同，本研究所制i-TPU电解质具有显著特性：尽管离子液体重量比仅20 wt%，却实现5.5 μF cm?2的高比电容，同时具备高透明度和优异拉伸性。这些i-TPU基有机晶体管展现出高达7.9 cm2 V?1 s?1的迁移率、强弯曲耐受性（曲率半径Rc为7.2 mm）和良好拉伸性（60%拉伸应变），且适用于低电压工作（VDS = -1.0 V，VGS = -2.5 V）。即使在凹凸弯曲状态（约3.4%弯曲拉伸应变）下，迁移率、导通电流和阈值电压等电学特性仍能保持稳定。最终通过引入聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸层作为源/漏极和栅极电极，成功制备出独立式、全拉伸、半透明的共面型全有机晶体管，实现更低电压工作（VDS = -1.5 V，VGS = -2.5 V）和更高迁移率（达17.8 cm2 V?1 s?1），且器件可承受高达80%的拉伸应变。

    关键词： 自立式全有机晶体管、可拉伸共形电子器件、高迁移率、弹性体电解质、低压运行

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 采用锶掺杂氧化铝栅极绝缘层的高迁移率喷墨打印铟镓锌氧化物薄膜晶体管

    摘要： 本文展示了采用溶液法制备的锶掺杂氧化铝（SAO）栅介质的高迁移率喷墨打印铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFT）。为提升喷墨打印IGZO TFT的电学性能，特别采用线性型打印图案制备IGZO沟道层。与点阵打印图案（4×4和5×5点阵）相比，线性型图案形成了更薄且均匀的IGZO沟道层。此外，为改善器件的亚阈值特性及低压工作性能，使用高k值且厚度约10纳米的SAO薄膜作为栅介质层。相较于采用SiO2栅介质的器件，该SAO栅介质喷墨打印IGZO TFT展现出显著更高的场效应迁移率（30.7 cm2/Vs），同时亚阈值摆幅和总陷阱态密度也分别大幅降低至0.14 V/十倍频程和8.4×1011/cm2·eV。

    关键词： 金属氧化物半导体、薄膜晶体管、高介电常数材料、高迁移率、喷墨打印

    更新于2025-11-14 15:19:41

  • 掺氢氧化铟薄膜的结晶现象

    摘要： 研究了溅射沉积非晶态In2O3:H薄膜的结晶过程，探讨了沉积与结晶参数对结晶度和电子霍尔迁移率的影响。通过电子能量损失谱发现结晶薄膜中存在显著的金属铟偏析。研究表明约160°C的金属铟熔融会促进非晶In2O3:H薄膜的初始结晶。羟基的存在被认为与伴随晶间In-O-In键合的再结晶及晶粒生长有关。金属铟被推测为沉积态In2O3和In2O3:H薄膜提供了过量自由电子。紫外光电子能谱显示In2O3:H的功函数在结晶过程中从4 eV升至4.4 eV，对应氧化过程。同时红外波段透光率同步提升。相比环境空气中的氧气，水蒸气在超高真空高温条件下更易氧化金属铟。二次离子质谱结果表明该过程主要发生在表层约50 nm范围内。退火期间In2O3:H光学带隙增大约0.2 eV，表明存在掺杂效应，这很可能是由(In0)O??和(OH?)O?点缺陷共同引起的晶内现象。通过分析多种并存过程的复杂性与非平衡性，解释了文献中关于In2O3:H结晶机制的既有认知分歧。

    关键词： 高迁移率、掺氢氧化铟（In2O3:H）、薄膜、透明导电氧化物（TCO）、结晶化

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 由异质三角烯构成的二维Kagome晶格是狄拉克半金属或单带半导体

    摘要： 我们基于第一性原理计算，研究了由聚合异三聚茚单元构成的二维（2D）Kagome晶格——这些平面分子具有D3h点群对称性，包含B、C或N中心原子以及CH2、O或CO桥接基团。我们探索了二维聚合物功能晶格的设计原则，其关键在于调控节点的π共轭特性和电子结构：前者通过桥接基团的化学势实现，后者则由异质原子控制。所得二维Kagome聚合物具有独特的电子结构特征：狄拉克能带被两个平带夹持，表现为狄拉克半金属（C中心）或单带半导体——这些材料仅以电子（B中心）或空穴（N中心）作为载流子，且具有高达~8×103 cm2V?1s?1的超高迁移率，与晶体硅相当。

    关键词： 高迁移率、载流子、单带半导体、异质三角烯单元、狄拉克半金属、二维卡戈梅晶格

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 采用射频磁控溅射法制备F和Ga共掺杂ZnO薄膜的物理性质研究及其在钙钛矿太阳能电池中的应用

    摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃基板上共溅射沉积了F和Ga掺杂的ZnO薄膜。通过多种技术手段对制备的薄膜进行了表征。研究发现所有薄膜均呈具有六方纤锌矿结构的polycrystalline（多晶）形态，并呈现c轴择优生长取向。研究还考察了基板温度对薄膜表面形貌、电学及光学性能的影响，发现最佳生长温度为440°C，此时获得的薄膜电阻率为6.81×10?? Ω·cm，载流子浓度达2.61×102? cm?3，迁移率为35.1 cm2/V·s，在400-1200 nm波段透光率超过90%，并具有3.49 eV的宽光学带隙。将该最优薄膜用作钙钛矿太阳能电池的前电极接触层，实现了15.32%的高光电转换效率，表明此类薄膜在高性能薄膜太阳能电池领域具有重要应用前景。

    关键词： 高迁移率、薄膜太阳能电池、氟镓共掺杂氧化锌薄膜、磁控溅射

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 具有IGZO/In?O?双沟道结构的高迁移率金属氧化物薄膜晶体管

    摘要： 在玻璃基板上成功制备了具有双沟道的高性能自对准顶栅薄膜晶体管。该双层沟道由In2O3和IGZO层组成。引入In2O3薄层显著提升了自对准顶栅薄膜晶体管的电学特性。相比而言，双沟道TFT展现出更高的场效应迁移率（34.3 cm2/Vs），优于单层a-IGZO TFT（10.2 cm2/Vs）。此外，我们获得了10?的开/关电流比、0.44 V/十倍频的陡峭亚阈值摆幅电压以及-3.35 V的阈值电压。这种性能提升可归因于In2O3薄层提供了更高的载流子浓度，从而最大化电荷积累，产生高载流子迁移率并将阈值电压转为负值。

    关键词： 自对准顶栅薄膜晶体管，氧化铟镓锌，均匀性，高迁移率，阈值电压，氧化铟

    更新于2025-09-23 04:40:50

  • 采用脉冲激光沉积法在SrTiO<sub>3</sub>衬底上外延生长高质量Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜及其表征

    摘要： 近期，Bi2O2Se因其适中的带隙尺寸、高电子迁移率及显著的环境稳定性，被证实是下一代电子器件中极具前景的二维半导体材料。同时研究预测，高品质的Bi2O2Se相关异质结构可能呈现压电性、拓扑超导等奇异物性。本研究首次通过脉冲激光沉积法成功实现了Bi2O2Se薄膜在SrTiO3衬底上的异质外延生长。最优条件下获得的薄膜呈现c轴垂直于膜面、a/b轴平行于衬底的择优取向外延生长。延长沉积时间时观察到生长模式向三维岛状结构的转变。70纳米厚薄膜在室温下实现了160 cm2/V·s的最高电子迁移率值。迁移率的厚度依赖性证实界面散射可能是低温区较低电子迁移率的主要限制因素，表明界面工程可作为调控低温电子迁移率的有效手段。本研究表明PLD法制备的外延Bi2O2Se薄膜在基础研究和实际应用中均具有重要价值。

    关键词： Bi2O2Se，脉冲激光沉积，异质结构，高迁移率，二维材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [IEEE 2018年第14届国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 青岛 (2018.10.31-2018.11.3)] 2018年第14届IEEE国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 取向可控的GaSb纳米线：从生长到应用

    摘要： 近年来，高迁移率GaSb纳米线因其在高性能p型晶体管中的应用潜力备受关注。然而由于难以制备细小、均匀且取向可控的纳米线（NWs），目前针对这一重要一维材料体系中取向相关特性的研究报道仍十分有限——而这些信息对实际应用部署至关重要。通过采用多种与CMOS工艺兼容的Pd催化剂，我们结合互补性实验与理论方法，利用新开发的表面活性剂辅助化学气相沉积技术，通过气-固-固（VSS）生长机制成功制备出高迁移率的(111)取向GaSb纳米线。与传统气-液-固（VLS）机制形成的纳米线不同，在我们的Pd催化VSS纳米线体系中，固态催化剂中存在圆柱形Pd5Ga4催化晶种。研究发现化学计量比的Pd5Ga4具有最低的晶体表面能，从而产生最小的表面扩散效应，并为外延纳米线成核提供最优的平面界面以实现高效取向控制。在10-70纳米的宽直径范围内，超过95%的高结晶质量纳米线呈现(111)取向生长。背栅场效应测试表明，Pd催化的GaSb纳米线展现出优异的空穴峰值迁移率约330 cm2 V?1 s?1，接近直径约30纳米、自由载流子浓度约101? cm?3的纳米线沟道迁移率极限，证实这些纳米线在相纯度、生长取向和电学特性方面具有卓越的均匀性。通过接触印刷工艺还制备了Pd催化GaSb纳米线平行阵列的大规模集成结构，证实了这类高性能电子器件的构建与应用潜力。

    关键词： 气-固-固生长法，GaSb纳米线，高迁移率，CMOS兼容，取向可控

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 24.1: <i>特邀论文：</i> 用于可弯曲和柔性显示器的柔性氧化物薄膜晶体管

    摘要： 本次演讲中，我们将介绍一种在塑料基板上采用分离式有源层与源漏电极结构的高稳定性、高性能E/S型a-IGZO薄膜晶体管。该晶体管展现出74 cm2/Vs的高迁移率，并在偏压应力和机械应力下表现出极佳的稳定性。其制备工艺与常规工艺完全相同，仅需调整设计即可实现。因此，该技术可用于塑料基板上柔性及可弯曲AMOLED器件的制造。

    关键词： 薄膜晶体管（TFT）、高迁移率、氧化物、分裂

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 宽单量子阱中的高迁移率间接激子

    摘要： 间接激子（IXs）是束缚在空间分离层中的电子-空穴对。我们制备了具有高间接激子迁移率、光谱窄的间接激子发射、电压可控的间接激子能量以及长且电压可控的间接激子寿命的宽单量子阱（WSQW）异质结构。这一系列特性表明，WSQW异质结构为研究低无序环境中间接激子的基本性质以及开发高迁移率激子器件提供了先进平台。

    关键词： 光谱窄发射、间接激子、电压可控能量、宽单量子阱、长寿命、高迁移率

    更新于2025-09-10 09:29:36