研究目的
研究宽单量子阱异质结构中间接激子的特性，包括其迁移率、发射特性、通过电压的能量控制以及寿命，以评估它们在研究基本激子性质和开发激子器件方面的适用性。
研究成果
WSQW异质结构具有高空穴-电子对（IX）迁移率、窄光谱发射、电压可控能级及长寿命特性，适用于研究低无序环境中的IX性质，并可用于开发高迁移率激子器件。
研究不足
该研究仅限于低温（1.7 K）下的GaAs异质结构，WSQW中IXs的结合能尚未计算，而这对理解解离激子的比例至关重要。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用分子束外延生长的宽单量子阱（WSQW）异质结构来探究间接激子（IXs）的特性。
2：样本选择与数据来源：
样本为具有特定层结构的GaAs WSQW异质结构，以便研究IX特性。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于激发的633纳米氦氖激光器、光谱仪、液氮冷却的电荷耦合器件相机（CCD）用于光致发光（PL）测量，以及PicoStar HR TauTec时间门控增强器用于时间分辨光学成像。
4：实验步骤与操作流程：
实验通过连续波和时间分辨PL成像，在不同电压和激发功率条件下研究IX的输运、能量和寿命。
5：数据分析方法：
分析包括拟合IX云扩展以估算扩散系数和迁移率，以及检查IX发射的光谱特性。
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获取完整内容-
HeNe laser
633 nm
Excitation source for generating excitons
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spectrometer
Measuring photoluminescence (PL)
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charge coupled device camera
CCD
Detecting photoluminescence (PL)
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time-gated intensifier
PicoStar HR TauTec
Time-resolved imaging of IX PL
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