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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • 通过对称多层设计实现性能增强的选择器

    摘要： 基于双向阈值开关（TS）行为的高非线性两端选择器，被视为新兴非易失性存储器与神经形态网络交叉阵列集成的关键元件。尽管已有多种选择器被研发，但现有器件仍无法完全满足各类忆阻元件的严苛标准，性能提升需求迫切。本研究开发了一种新型Ag/TaOx/TaOy/TaOx/Ag（x < y）同质三层氧化物选择器，实现了双向TS操作、≈10^10的大选择性、高达1mA的合规电流及低于0.2V的超低开关电压等核心参数。通过调节中间TaOy层厚度可调控工作电压。全TaOx基1S1R（单选择器-单忆阻器）集成单元采用纯磁控溅射工艺制备且无需中间电极，展现出交叉阵列器件特有的非线性特性，有效抑制了串扰电流问题。这种钽氧化物同质结具有高绝缘性、低离子迁移率和丰富界面，能精准调控银导电细丝形成，从而实现高性能阳离子型选择器。该成果将推动两端选择器在阻变随机存储器等新兴存储技术中的实际应用。

    关键词： 导电细丝、1S1R结构、多层结构、阈值开关、TaOx材料、选择器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外臭氧清洗硅表面用于高效光伏应用的透射电子显微镜研究

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。进一步实验证明：1S1R集成结构中选择器亚阈值电流<10 pA，同时提供>10^2的存储单元开/关比及循环过程中>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM器件，该1S1R结构可实现高密度高性能存储应用。

    关键词： 选择性、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、潜通路、1S1R结构

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 用于硅异质结太阳能电池的微晶氧化硅前接触层中的高磷掺杂种子层

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器（RRAM）。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流挑战。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性、125°C稳定工作能力及>10^11的耐久性。进一步展示的1S1R集成方案中，选择器亚阈值电流<10 pA，同时提供>10^2的存储器件开/关比及循环过程中>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM单元，该1S1R结构可实现高密度高性能存储应用。

    关键词： 潜行路径、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、1S1R结构、选择性

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 用于低过剩电压蓝光LED和UVC LED的混合III族氮化物隧道结

    摘要： 我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。此外，我们实现了选择器亚阈值电流<10 pA的1S1R集成方案，在循环过程中保持>10^2的存储开/关比和>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM单元，该1S1R结构可支持高密度高性能存储应用。

    关键词： 潜行路径、交叉点存储器、选择器件、阻变随机存取存储器（RRAM）、1S1R结构、选择性

    更新于2025-09-16 10:30:52