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oe1(光电查) - 科学论文

43 条数据
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  • [2019年IEEE第二届英国与爱尔兰光学与光子学会议(BICOP) - 英国伦敦 (2019.12.11-2019.12.13)] 2019年IEEE第二届英国与爱尔兰光学与光子学会议(BICOP) - 低聚芴并三亚苯激光传感器：迈向细菌生长检测

    摘要： 我们展示了基于场效应晶体管（FET）的等离子体太赫兹（THz）探测器在低阻抗状态下集成单体天线的性能提升，并利用0.2太赫兹测量系统报道了硅MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。通过设计低阻抗范围（<1千欧）的FET并集成50欧和100欧阻抗的天线，我们发现低阻抗MOSFET在0.2太赫兹下满足50欧输入阻抗标准，且采用更薄栅氧化层的MOSFET在50欧天线配置下展现出比无天线探测器高325倍的显著增强等离子体光响应。

    关键词： 阻抗、等离子体、探测器、光响应、MOSFET、太赫兹

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - 美国佛罗里达州奥兰多(2019.6.23-2019.6.29)] 2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - NS激光冲击喷丸的二维模拟

    摘要： 我们报道了H2高压退火（HPA）对采用Al2O3/HfO2栅堆叠的In0.7Ga0.3As MOS电容器和量子阱（QW）MOSFET的影响。在300°C、H2环境及20个大气压的工艺条件下进行HPA后，观察到Al2O3/HfO2栅堆叠InGaAs MOS电容器的电容-电压（CV）特性显著改善，如等效氧化层厚度减小且积累区频率色散降低，界面态密度（Dit）降低了20%。随后我们将HPA工艺引入亚100纳米In0.7Ga0.3As QW MOSFET的制备中以研究其影响。经HPA处理后，Lg=50纳米的器件亚阈值摆幅（SS）提升至105 mV/十倍频程，而未采用HPA工艺的参考器件为130 mV/十倍频程。最后通过恒定电压应力（CVS）进行可靠性评估，结果表明HPA工艺能有效抑制CVS过程中阈值电压（ΔVT）的漂移。这些改善归因于H2环境下HPA工艺对高k介质层氧化物陷阱和界面陷阱的有效钝化作用。

    关键词： 界面陷阱密度（Dit）、亚阈值摆幅（SS）、高压退火、原子层沉积（ALD）、InGaAs MOSFET

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第16届电气工程/电子、计算机、电信与信息技术国际会议(ECTI-CON) - 泰国春武里府芭提雅 (2019.7.10-2019.7.13)] 2019年第16届电气工程/电子、计算机、电信与信息技术国际会议(ECTI-CON) - 基于双向光纤链路收发器的双脊波导喇叭天线增益自校准技术

    摘要： 本信件报道了一种具有常关特性的氮化镓垂直沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。通过选择性区域再生长n+型氮化镓源极层，避免了等离子体刻蚀对p型氮化镓体接触区的损伤。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的氮化铝/氮化硅介质叠层作为栅极"氧化层"。该独特工艺制备出活性区面积为0.5平方毫米的晶体管，其阈值电压为4.8伏，在零栅压下阻断电压达600伏，栅压10伏时导通电阻为1.7欧姆。

    关键词： 氮化镓、垂直晶体管、MOSFET、功率半导体器件

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于DFT与NEGF方法对二维SbSiTe?电子特性及弹道输运性能的研究

    摘要： 识别具有优异电子特性和输运性能的新型二维半导体材料，对推动电子与光电器件应用发展至关重要。本研究基于密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数方法，系统分析了新型二维半导体SbSiTe3的电子特性与弹道量子输运性能。研究表明：单层SbSiTe3具有1.61 eV的间接带隙，其电子有效质量较轻（0.13 m0），空穴有效质量呈现各向异性（0.49 m0与1.34 m0）。弹道输运模拟显示，10纳米单层SbSiTe3的n型和p型MOSFET器件展现出约80 mV/dec的陡峭亚阈值摆幅及高达106的开/关比，表明其具备优异的栅极调控能力。当沟道长度缩短至5纳米时，其p型MOSFET仍能有效抑制带内隧穿效应。因此，二维SbSiTe3是极具潜力的未来纳米电子器件半导体材料。

    关键词： 电子特性、MOSFET、SbSiTe3、二维半导体、弹道输运

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019 AEIT国际年会（AEIT）- 意大利佛罗伦萨（2019年9月18日-2019年9月20日）] 2019年AEIT国际年会（AEIT）- 考虑以碳化硅MOSFET为开关器件并采用光伏电源的中点钳位逆变器预测电流控制

    摘要： 本文提出了一种三相三电平中点钳位（3L-NPC）逆变器的预测电流控制方法。其主要贡献在于分析了直流母线电压对特定类型功率半导体器件（即碳化硅MOSFET）构成的3L-NPC逆变器输出特性的影响。直流母线电源采用光伏阵列，其串联组件数量的选取采用启发式方法确定。所有分析与结果均通过Matlab/Simulink仿真平台完成。

    关键词： 中性点钳位变流器、预测电流控制、光伏系统、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于120度母线钳位PWM的三相光伏并网逆变器PID控制

    摘要： 本文提出了一种新型三相光伏PID电流控制系统在低压配电网中的运行方式，该方式引入了120度母线钳位PWM控制方法（120° BC-PWM）。120° BC-PWM是一种特殊开关序列技术，在PWM和PID控制状态下每60°仅对单相使用母线钳位序列而其他两相保持钳位状态。该方法通过生成六路PWM信号控制三相逆变系统，在恒定功率输入和小容量直流母线薄膜电容条件下实现每60°周期调控。本文主要目标是采用新型PWM技术与PID电流控制方法降低三相逆变器开关损耗，通过缩短各晶体管导通时间将其损耗降至1/3。BC-PWM方法的仿真结果显示并网三相逆变系统性能得到提升。所建系统仿真平台采用SiC MOSFET器件，规格为5kVA/400V线间电压/25kHz开关频率。PID控制并非持续作用于各相，而是在半周期内每60°启用并在120°达到饱和，经适当调节抗饱和后能快速恢复。

    关键词： SIC MOSFET、电流控制、PWM、120度母线钳位、PID、三相逆变器

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于宽禁带材料的半导体功率器件研究进展概述

    摘要： 宽禁带材料因其优异的物理特性（如更高的热导率和卓越的电学性能）引起了科学家和工程师的广泛关注。目前，基于宽禁带材料的半导体功率器件研究已取得重大进展。新开发的WBG（宽禁带）功率器件——例如1200V直驱碳化硅JFET功率开关和高可靠性的氮化镓MOS HFET——相比传统硅基功率器件展现出更优的性能与优势。这些功率器件通过成功商业化已广泛应用于多个领域，其可靠性与有效性得到了充分验证。WBG功率器件的应用显著提升了电路性能，推动了新一代电子产品的演进。本文重点介绍几种基于宽禁带材料（包括氮化镓、IGBT、JFET、MOSFET、整流器及其碳化硅对应器件）的功率器件最新研究进展与成果，分别探讨并比较它们的特性、性能及相应应用场景，随后阐述这些器件存在的缺陷与局限及相应的解决方案，最后分析宽禁带功率器件未来的发展趋势与前景。

    关键词： 整流器、氮化镓（GaN）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、宽禁带材料、碳化硅（SiC）、结型场效应晶体管（JFET）、半导体功率器件

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 碳化硅器件短路?；さ氖笛檠橹?

    摘要： 本文展示了一种针对碳化硅MOSFET器件的有效短路?；し桨甘笛檠橹?。通过测量短路事件前后碳化硅器件的静态特性参数，证实器件保持了良好性能状态。鉴于当前碳化硅器件较低的短路耐受能力，研究团队实施了超快速短路?；し桨?。实验结果表明，该方案能确保碳化硅器件在经历一百次短路冲击后仍保持结构完整性。

    关键词： 短路、MOSFET、碳化硅、?；ぁiC、宽禁带

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 用于增强4H-SiC(0001)硅面反型沟道迁移率并抑制V<sub>fb</sub>不稳定的低温湿氧退火工艺

    摘要： 为提升4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管性能，本研究系统考察了干法氧化后湿法环境中的退火工艺（POA）。通过调节湿法POA条件，我们证实低温湿法退火更有利于同时增强沟道迁移率并抑制平带电压不稳定性。沟道迁移率提升的机制之一归因于MOS界面附近氧化物中陷阱密度的降低，而非传统界面陷阱?；?H-SiC上的氧化物生长动力学，我们还讨论了湿法环境对界面特性的影响。

    关键词： 沟道迁移率、平带电压不稳定性、MOSFET、4H-SiC、湿氧退火

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 氮对4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管界面态密度分布的影响：超精细相互作用与近界面硅空位能级

    摘要： 采用一氧化氮（NO）后氧化退火工艺可显著提升碳化硅（SiC）基金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）的性能。该退火处理能大幅提高有效沟道迁移率并显著降低界面陷阱密度。本研究通过密度泛函理论（DFT）计算与电检测磁共振（EDMR）测量，探究了NO退火对界面态密度的影响。针对4H碳化硅（4H-SiC）MOSFETs的EDMR测量表明：NO退火使近界面SiC硅空位中心密度大幅降低，导致EDMR振幅下降30倍。该退火还显著改变了退火后的共振线型——仅对中带隙能级附近界面陷阱敏感的EDMR测量线型受NO退火影响较小，而对能级在4H-SiC带隙中广泛分布的缺陷敏感的测量则发生明显变化。通过DFT分析发现：观测到的EDMR线宽变化及其与能级的相关性，可由NO退火引入的氮原子替代硅空位缺陷邻近碳位点来解释。

    关键词： MOSFET、碳化硅、无退火处理、界面态密度、密度泛函理论、电子顺磁共振谱

    更新于2025-09-10 09:29:36