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IGA64AA-APD 光电二极管 光电二极管

IGA64AA-APD 光电二极管

分类: 光电二极管

厂家: OTRON

产地: 中国大陆

型号: IGA64AA-APD

更新时间: 2025-08-07T09:51:27.000Z

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InGaAs 雪崩光电二极管 高灵敏度 低电容 光电探测器

IGA64AA-APD是一款定制设计的InGaAs雪崩光电二极管阵列,具有前照式设计,提供更高的响应度和更低的电容。

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概述

IGA64AA-APD是一款高灵敏度的InGaAs雪崩光电二极管,适用于激光测距仪激光雷达和高速光通信。

参数

  • 有效直径 / Active Diameter : 200um/pixel
  • 间距/中心间距 / Gap/Separation (Center To Center) : 800um
  • 间距 / Pitch : 600um
  • 工作增益 / Operating Gain : 1-10-75
  • 量子效率(1550nm) / Quantum Efficiency(1550nm) : 80%-85%
  • 带宽 / Bandwidth : 1.25GHz
  • 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage : 40-60V
  • 温度系数 / DVbr/DT : 0.12-0.15V/°C
  • 结电容 / Junction Capacitance : 1.5pF
  • 光敏度@M=10 / Photo Sensitivity@M=10 : 0.85-1.05A/W
  • 光谱应用范围 / Spectral Application Range : 900-1700nm
  • 光谱响应峰值 / Spectral Response-Peak : 1064-1550nm
  • 过剩噪声因子 / Excess Noise Factor : 9-10
  • 噪声谱密度 / Noise Spectral Density : 0.47PA/Hz
  • 暗电流 / Dark Current : 30-50nA
  • 工作电压 / Operation Voltage : 0.9×V(BR)
  • 最大瞬时输入功率 / Max. Instantaneous Input Power : 128mW/pixel

应用

1. 激光测距仪,激光雷达 2. 高速光通信 3. 激光扫描仪

特征

1.低电容高灵敏度前照式设计 2.900-1700nm响应 3.减少过量噪声设计 4.工作增益可达M=20 5.可根据需求定制

图片集

IGA64AA-APD图1
IGA64AA-APD图2
IGA64AA-APD图3
IGA64AA-APD图4
IGA64AA-APD图5
IGA64AA-APD图6
IGA64AA-APD图7
IGA64AA-APD图8

规格书

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厂家介绍

奥创传感器成立于2004年,一直为我们的客户提供较新的光学和光电元件。我们不仅为客户提供传感器元件,还提供传感器应用解决方案。我们的使命是为客户提供较好的产品,较好的服务和技术专长。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • MOQ50-IT 光电二极管 MOQ50-IT 光电二极管 光电二极管 OTRON

    光电二极管有效尺寸: 50mm2 光谱响应: 400-1100nm 反馈电阻: 100kΩ

    MOQ50-IT是一款基于7.8mm直径四象限硅PIN的光电二极管,适用于点跟踪、天文设备中的星体引导检测、导航、位置传感器和自由空间通信。

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    有效像素数量: 16 pixel 有效面积(每个像素): 2.489×0.90 um 芯片尺寸(总芯片): 2.794×15 um

    OSA2713-16是一款多通道阵列光电探测器,具有低电容高灵敏度,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信。

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    芯片尺寸: 18*21mm2 有效区域: 17.30*20mm2 暗电流: 90nA

    OSD360-EC是一款人眼响应高输出、高速硅光电二极管,适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计。

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