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S8377-512Q CMOS图像传感器

S8377-512Q

分类： CMOS图像传感器

厂家： Hamamatsu Photonics

产地： 日本

型号： S8377-512Q

更新时间： 2023-01-06T06:50:07.000Z

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简介：

Built-in timing generator and signal processing circuit, 5 V single supply operation CMOS Linear Image Sensor

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概述

Hamamatsu Photonics的S8377-512Q是一款CMOS图像传感器，电源电压为4.75至5.25 V，灵敏度为4.4至22 V/LX·s，时钟频率为0.1至500 kHz，工作温度为-20至60摄氏度，存储温度为-20至80摄氏度。有关S8377-512Q的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Image Input Devices, Optical Sensing Devices

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  • 基于苯并二噻吩的给体聚合物中噻吩侧链取代与主链氟化协同最小化ITIC基有机太阳能电池中的载流子损失
    非富勒烯受体 超快光谱学 体异质结 电荷产生 有机光伏

    基于非富勒烯受体（NFA）的有机太阳能电池性能已超越富勒烯基器件，但其光物理机制尚不明确。本研究以ITIC为NFA，通过改变苯并二噻吩（BDT）-噻吩共聚物给体聚合物主链侧链取代基及主链氟化程度，揭示了其与体异质结（BHJ）太阳能电池光物理过程及性能的关联。当给体聚合物采用烷氧基取代时，观察到增强的束缚激子复合及更快的自由电荷非束缚复合，导致短路电流与填充因子同步受限；而噻吩基取代虽能抑制束缚激子复合（但非束缚复合仍显著），使短路电流密度提升却未改善填充因子。唯有噻吩基取代与主链氟化的协同作用，才能实现高效电荷分离与非束缚复合的大幅降低，最终获得超过60%的填充因子。时间延迟收集场测量证实：噻吩基取代给体聚合物:ITIC体系中电荷产生与电场无关，而烷氧基取代聚合物:ITIC共混体系呈现弱电场依赖性，表明低填充因子主要源于非束缚复合。该研究阐明了典型NFA（ITIC）体系中给体聚合物结构、BHJ光物理特性与器件性能的相互作用，尤其建立了给体聚合物化学结构与ITIC基BHJ共混体系中动力学参数变化及各过程产率的定量关联。

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  • 高分子材料与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：该研究涉及合成具有不同侧链取代基和主链氟化的给体聚合物，并将其与ITIC作为受体结合用于BHJ太阳能电池。通过瞬态吸收（TA）和时间分辨光致发光（TR-PL）光谱研究了光物理过程。 2. 样本选择与数据来源：研究使用了三种给体聚合物（PBDT[2H]T、PBDT(T)[2H]T和PBDT(T)[2F]T）以及ITIC作为受体。 3. 实验设备与材料清单：设备包括用于TA光谱的钛宝石放大器、用于TR-PL的光谱仪和条纹相机，以及用于器件表征的太阳光模拟器。 4. 实验步骤与操作流程：在AM1.5G太阳光照下制备并表征了BHJ太阳能电池。通过TA和TR-PL测量研究了光物理过程。 5. 数据分析方法：使用双池载流子复合模型分析数据，以量化成对和非成对复合过程。

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厂家介绍

First starting from the founding of Tokai Electronics Laboratory in 1948, Hamamatsu TV Co., Ltd. was then established in 1953 followed by a company name change to Hamamatsu Photonics K.K. in 1983. All through this period and up to the present day, we here at Hamamatsu Photonics have been continually pursuing technologies involving “light” in all its aspects. Take a look along with us at the history of our company constantly pursuing the path of light since our founding.

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