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LED630E 发光二极管

LED630E

分类: 发光二极管

厂家: 索雷博

产地: 美国

型号: LED630E

更新时间: 2024-06-05T09:20:12.000Z

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光学元件 光电技术 LED 发光二极管 发光设备

Epoxy-Encased LED, 639 nm, 7.2 mW, T-1 3/4, Qty. of 5

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概述

Thorlabs Inc的LED630E是一款正向电流为50 mA、波长为639 nm、功率为7.2 MW(0.0072 W)的LED.有关LED630E的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 颜色 / Colors : Visible

应用

1. 照明应用 2. 视觉显示 3. 光学传感器

特征

1. 半强度角:7.5度 2. 视角:15度 3. RoHS认证:是 4. 配置类型:单个IC 5. 封装类型:通孔 6. 光谱全宽半最大值:17 nm 7. 颜色:可见光 8. 功率:7.2 mW,(0.0072 W)

详述

1. 半强度角:7.5度 2. 视角:15度 3. RoHS认证:是 4. 配置类型:单个IC 5. 封装类型:通孔 6. 光谱全宽半最大值:17 nm 7. 颜色:可见光 8. 功率:7.2 mW,(0.0072 W)

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  • 基于稀疏点响应的无干涉编码孔径相关全息术实现分辨率增强的成像
    分辨率增强 信噪比 无干扰编码孔径相关全息术 非相干数字全息术 稀疏点响应

    无干扰编码孔径关联全息术(i-coAcH)是一种非扫描、静止式、非相干数字全息技术。本研究采用一种特殊类型的i-coAcH,其点扩散全息图(pSH)由稀疏点集构成。通过该pSH实现了超越经典衍射极限的成像分辨率。这种分辨率提升源于编码孔径位于物体与基于透镜的成像系统之间——该编码孔径将原本被系统孔径阻挡的部分光线散射至光学系统内,从而扩展了系统的有效数值孔径。稀疏PSH的应用提高了整个成像系统的信噪比。与直接成像相比,I-COACH在横向分辨率上实现了约1.6倍的增强效果。

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  • 通过直接化学气相沉积生长的超薄全二维横向石墨烯/GaS/石墨烯紫外光电探测器
    化学气相沉积 二维光电子学 硫化镓 光电探测器 紫外线 石墨烯

    通过化学气相沉积法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料,制备出紫外敏感的横向全二维(2D)光电探测器件。利用硅晶圆上预图案化的石墨烯电极对,可同步制备超过200个器件。研究表明,GaS生长过程中衬底的表面化学特性会选择性地在石墨烯间隙而非石墨烯表面形成横向异质结构。实验证实石墨烯/GaS/石墨烯横向光电探测器仅对紫外光敏感,对可见光无响应。该器件能实现紫外波段选择性探测,仅在中紫外波长区产生光电流,近紫外波段无响应。在270 nm激发下,其检测限低至2.61 μW/cm2,光响应度高达11.7 A/W,光电增益达53.7。研究还展示了光电流的门控调制效应,该探测器具有长期稳定性与可重复的开关特性,响应时间低于60毫秒。这些成果为仅利用二维材料(如大带隙二维半导体GaS)构建超薄紫外传感器件提供了重要思路。

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实验方案推荐
AI分析生成
  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用改进的I-COACH系统结合稀疏PSH实现分辨率增强。通过编码相位掩模(CPM)和衍射透镜(DL)使光线散射进入光学系统,从而扩展有效数值孔径。 2. 样本选择与数据来源:实验以美国空军(USAF)分辨率透射靶标和反射式USAF靶标作为观测对象。 3. 实验设备与材料清单:装置包含LED光源(Thorlabs LED635L)、透镜组(L0A和L0B)、空间光调制器(SLM,Holoeye PLUTO)、数码相机(Retiga-R6)及用于控制透镜系统初始数值孔径的光阑。 4. 实验流程与操作步骤:SLM上的相位图案由CPM与DL进行模2π相位叠加生成。采用GSA算法生成具有不同散射程度和点阵数量的CPM。通过目标全息图与PSH的非线性互相关实现物体重建。 5. 数据分析方法:基于重建结果的可见度与信噪比数值进行分析,以两者的乘积确定最佳散射程度和点阵数量。

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  • 光电信息材料与器件实验方案

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用化学气相沉积(CVD)法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料。通过在硅晶圆上预制备图案化石墨烯电极对,实现了200余个器件的同步制备。 2. 样品选择与数据来源:样品制备流程为在SiO2/Si芯片上图案化石墨烯电极对后,利用CVD工艺选择性沉积石墨烯电极间隙间的GaS材料。 3. 实验设备与材料清单:采用直径1英寸石英管的单温区系统进行CVD生长。以Ga2S3粉末为前驱体,在常压H2/Ar混合气体氛围下完成生长。 4. 实验流程与操作步骤:CVD生长包含三个阶段:氩气系统吹扫、富氢气氛中加热Ga2S3前驱体、快速冷却至室温。通过调节生长时间探究GaS的生长机制。 5. 数据分析方法:采用不同光照条件下的I?V测试表征器件电学与光电特性,结合拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)测定GaS薄膜质量与厚度。

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厂家介绍

Thorlabs致力于以快速有效的服务,为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室

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    光纤耦合二极管激光器,连续波工作模式,集成TEC,采用被动冷却设计,适用于高功率和高可靠性应用。

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