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MLL-III-980。 激光器模块和系统

MLL-III-980。

分类: 激光器??楹拖低?/a>

厂家: Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co Ltd

产地: 中国大陆

型号: MLL-III-980

更新时间: 2023-04-24T08:07:41.000Z

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概述

来自CNI Laser的MLL-III-980是波长为980 nm、功率为0.00 1至2 W、输出功率(CW)为0.00 1至2 W、工作温度为10至35摄氏度的激光器。MLL-III-980的更多细节可参见下文。

参数

  • 技术 / Technology : DPSS Laser
  • 功率 / Power : 0.001 to 2 W
  • 应用 / Application : measurement, communication, spectrum analysis

图片集

MLL-III-980图1
MLL-III-980图2
MLL-III-980图3
MLL-III-980图4
MLL-III-980图5
MLL-III-980图6
MLL-III-980图7

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  • 采用高温退火部分纳米晶化陷阱层的SAHAOS提升非易失性紫外TD传感器性能
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    本研究表明,采用高温预金属退火处理并部分纳米晶化的铝酸铪氧化物(以下简称PNC-SAHAOS)的硅-氧化铝-铪铝氧化物-氧化硅-硅电容器器件,可有效提升非易失性紫外辐射总剂量(以下简称UV TD)传感器的性能。实验数据显示,在100 mW·s/cm2 UV TD辐照后,PNC-SAHAOS的紫外诱导阈值电压VT偏移量达10V。其紫外诱导电荷密度约为非晶硅-氧化铝-氮化硅-二氧化硅-硅(SANOS)结构的八倍。此外,即使在85°C条件下,PNC-SAHAOS十年电荷保持率的衰减率低于10%;而相同温度下非晶SANOS的十年电荷保持率衰减率几乎为PNC-SAHAOS的两倍。这些结果有力表明,PNC-SAHAOS有望成为下一代非易失性UV TD传感器技术的最佳候选方案。

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    上转换纳米测温技术将光学检测微小区域(如微流控通道或微电子芯片)温度的能力,与可见光波段简单检测装置及近红外(NIR)激发后热传递减弱的特点相结合。我们提出一种基于上转换过程激发的Eu3?离子发光比率测量策略:Yb3?离子作为NIR波段(980 nm)敏化剂,将能量传递给Tm3?离子,进而激发具有热敏感特性的Eu3?离子发光。三掺杂SrF?:Yb3?,Tm3?,Eu3?纳米颗粒(平均粒径17 nm)在25.0°C时展现出1.1% K?1的相对热灵敏度,达到目前镧系离子上转换发射型纳米测温器的最佳水平。该纳米颗粒设计能利用镧系离子的上转换特性——这些离子通常无法直接被NIR激发,且可能提供具有高度稳定读数的工作波长,从而填补当前上转换纳米测温技术中存在的光谱空白。

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    1. 实验设计与方法选择:本研究通过制备并比较不同PMA处理的SAHAOS/SANOS电容器器件,评估其作为非易失性紫外TD传感器的性能。 2. 样品选择与数据来源:SAHAOS/SANOS器件制备于p型Si <100>衬底上。 3. 实验设备与材料清单:包括ASM A-400管式炉、AIXTRON Tricent 800016 MOCVD系统、SVCS管式炉系统、KORONA RTP 800快速热处理机、Duratek溅射仪、CNI MLL-III-405紫外LED、HP4284参数分析仪、Agilent HP4156A参数分析仪、JEOL JEM-2010F透射电镜、PANalytical X’Pert Pro X射线衍射仪。 4. 实验步骤与操作流程:制备流程包括隧穿氧化层形成、俘获氧化层沉积、阻挡氧化层沉积、PMA处理、栅电极形成及紫外TD信息测量。 5. 数据分析方法:通过紫外TD辐照后CG-VG曲线偏移计算VT变化,并测量辐照前后的栅极漏电流。

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