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MSL-FN-532-S 激光器??楹拖低? class=

MSL-FN-532-S

分类: 激光器??楹拖低?/a>

厂家: Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co Ltd

产地: 中国大陆

型号: MSL-FN-532-S

更新时间: 2023-04-24T08:07:41.000Z

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概述

CNI Laser的MSL-FN-532-S是一款波长为532 nm、功率为0.00 1至0.4 W、输出功率(CW)为0.00 1至0.4 W、工作温度为15至35摄氏度的激光器。MSL-FN-532-S的更多详细信息见下文。

参数

  • 技术 / Technology : Solid State Laser
  • 功率 / Power : 0.001 to 0.4 W
  • 应用 / Application : Optical frequency standards, Gravitational wave detection, Tests of fundamental physics, Atomic clocks, High, resolution spectrum, Laser Lidar, Precision measurement
  • 横模 / Transverse Mode : TEM00

图片集

MSL-FN-532-S图1
MSL-FN-532-S图2
MSL-FN-532-S图3
MSL-FN-532-S图4
MSL-FN-532-S图5
MSL-FN-532-S图6
MSL-FN-532-S图7

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实验方案推荐
AI分析生成
  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择:采用快速傅里叶变换(FFT)分析方法结合高斯拟合技术,对激光干涉光刻(LIL)制备的表面结构频谱进行分析。 2. 样品选择与数据来源:使用正性光刻胶通过多光束LIL制备的周期性结构作为分析对象。 3. 实验设备与材料清单:采用波长360nm的单模二极管泵浦固态激光器(MSL-FN-360-S,CNI)和扫描电子显微镜(SEM;Quanta250,FEI)。 4. 实验流程与操作步骤:通过FFT处理强度分布图像获取频谱,并利用高斯拟合确定周期与方位角。 5. 数据分析方法:基于FFT结果分析结构的周期与方位角参数。

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  • 物理学实验方案

    {"实验设计与方法选择": "本研究采用随机超分辨率显微镜技术,以约20纳米面内分辨率绘制与等离子体粒子阵列耦合的单个荧光分子的增强发射图谱。通过有限时域差分(FDTD)模拟深入探究调控发射的底层机制。", "样本选择与数据来源": "样本由晶格常数为450纳米的六方铝纳米结构阵列构成,该阵列通过基底共形压印光刻和反应离子刻蚀工艺在熔融石英上制备而成。", "实验设备与材料清单": "实验使用蔡司AxioObserver 7倒置光学荧光显微镜、532纳米连续波激光器、滨松ORCA-Flash 4.0 V3 sCMOS相机及多种光学滤光片。", "实验流程与操作步骤": "采用532纳米连续波激光照射样本进行荧光成像,信号通过sCMOS相机采集,发射强度以检测到的光子总数计量,单分子位置通过将其发射轮廓拟合至二维高斯函数实现定位。", "数据分析方法": "将实测强度变化与单个电偶极子耦合有限等离子体粒子阵列的FDTD模拟结果对比,以区分吸收率改变、自发衰减率变化及发射方向性等各因素的贡献。"}

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