在当今信息安全形势日益严峻的背景下，传统的加密技术正面临巨大挑战。你是否曾好奇，是否存在一种几乎无法被破解的通信方式？“**量子通信的主要工作原理是什么？**”这不仅是一个前沿的科学问题，更是电子电工行业未来发展的关键方向。它利用量子力学的基本原理，如量子叠加和量子纠缠，为信息传输构建了一道天然的安全屏障，其潜力远超基于计算复杂性的经典加密算法。对于从事光纤
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IK5651R-G
简介：
IK Series He- IK Series He-Cd Laser Cd Laser:325nm(UV), 442nm(Blue) and Dual Wavelength (Blue) and Dual Wavelength (Blue) and Dual Wavelength
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概述
Kimmon Koha的IK5651R-G是一款波长为325至442 nm、功率为0.02至0.08 W、输出功率（CW）为0.02至0.08 W、工作温度为10至40摄氏度、存储温度为10至50摄氏度的激光器。有关IK5651R-G的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 功率 / Power : 0.02 to 0.08 W
- 应用 / Application : Photoluminescence, Raman Spectroscopy, Biomedicine/Bioengineering, Flow Cytometry, Lithography/Grating Production, Photopolymer Exposure, Interferometry, Printing/Plate making, Precision measurement, Holography, Defect inspection
- 横模 / Transverse Mode : TEM00
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发光的Nd?S?薄膜：一种制备稀土硫化物的新型化学气相沉积方法
金属有机化学气相沉积 三硫化二钕 薄膜 稀土硫化物 发光材料
硫化钕（Nd?S?）属于极具前景的稀土硫化物（RES）类别，在纯态或掺杂状态下均展现出广泛的应用潜力。我们首次通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD），在温和工艺条件下使用两种新型钕前驱体——三(N,N'-二异丙基-2-二甲基氨基胍基)钕(III)和三(N,N'-二异丙基-乙脒基)钕(III)，实现了Nd?S?薄膜的简易制备。这两种前驱体对单质硫具有优异的热稳定性和适宜的反应活性，成功合成了高纯度γ-Nd?S?。薄膜生长温度范围为400°C至600°C，当温度超过500°C时形成晶态薄膜。研究还证实，原位沉积的γ-Nd?S?具有发光特性，其光学带隙介于2.3 eV至2.5 eV之间。该工艺无需硫化等后处理步骤即可制备目标Nd?S?材料，为大规模合成奠定了基础，并为探索这类功能材料的潜在应用开辟了新途径。
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具有ZnO/Ag肖特基结的全面热释光电子效应增强型紫外探测器
紫外光电探测器 肖特基结 二次热释电效应 光热电效应 自供电
作为热释电效应与光电效应的耦合效应，热释光电效应已展现出对快速响应p-n结光电探测器（PDs）的卓越调控作用。本研究利用全面的热释光电效应，基于ZnO/Ag肖特基结设计并制备了自供电柔性紫外光电探测器。通过初级热释电效应，该自供电探测器在325 nm光照下的最大瞬态光响应度可达1.25 mA W?1，较稳态信号提升1465%。相对持续的次级热释电效应会削弱肖特基势垒高度，导致稳态光电流随功率密度增加而降低。当功率密度足够大时，稳态光电流会发生反向?；谀艽冀沂玖俗酆先仁凸獾缧вΧ运蔡臀忍獾缌鞯南嘤Φ骺鼗?。这些结果有助于进一步阐明热释光电效应对光电流的作用机理，同时也为优化自供电光电探测器的性能提供了潜在途径。
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通过界面态调控与热释光电子效应提升p-Si/n-ZnO自供电光电探测器性能
自供电 紫外辐照 界面态 热释光电子效应 宽带光电探测器
基于氧化锌的自供电光电探测器（PD）在分布式传感器网络和物联网中具有巨大的应用潜力。然而，氧化锌内部大量的表面或界面态限制了其性能提升。本研究通过紫外辐照作为界面修饰工程，显著消除了氧化锌的表面和界面态。界面态的减少降低了欧姆电阻，同时增强了热释光电子效应的调控作用。由此，该自供电光电探测器的瞬态响应电流得到显著提升，在325-785纳米宽带激励光下实现了超过5900%的最大增强因子，相应响应时间缩短至几毫秒或亚毫秒量级。结果表明，氧化锌表面态的减少能有效增强热释光电子效应的调控作用，并大幅提升自供电宽带光电探测器的响应性能，该器件在物联网、宽光谱检测与成像以及智能光电器件等领域具有重要应用需求。
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实验方案推荐
AI分析生成
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化学实验方案
1. 实验设计与方法选择：本研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，使用两种新型钕前驱体沉积Nd2S3薄膜。 2. 样品选择与数据来源：薄膜沉积于预清洁的Si(100)和熔融石英衬底上。 3. 实验设备与材料清单：MOCVD反应器、钕前驱体、单质硫、氮气载气。 4. 实验步骤与操作流程：薄膜生长温度范围为400°C至600°C，前驱体蒸发器温度设为120°C，硫源温度为110°C。 5. 数据分析方法：采用XRD、SEM、AFM、RBS/NRA、XPS、紫外-可见吸收光谱及光致发光光谱进行表征。
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光电信息科学与工程实验方案1
{"实验设计与方法选择": "本研究利用热释光电子效应提升ZnO/Ag肖特基结光电探测器性能。研究方法包括柔性器件制备及其对紫外光照动态响应的表征。", "样品选择与数据来源": "通过低温水热法在带有氧化铟锡（ITO）和ZnO籽晶层的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上合成ZnO纳米线（NWs），并测量器件对325 nm紫外激光的响应。", "实验设备与材料清单": "设备包括射频磁控溅射系统（Denton Discovery 635）、扫描电镜（日立SU4800）、X射线衍射仪（岛津XRD-6100）、紫外-可见分光光度计（岛津UV3600）以及定制计算机控制测量系统（含斯坦福SRS低噪声电流前置放大器SR570和低噪声电压前置放大器SR560）。材料包含PET基底、ITO、ZnO、Ag和氢氧化铵。", "实验流程与操作步骤": "制备过程包括PET基底清洗、ITO与ZnO籽晶层沉积、水热法生长ZnO纳米线、Ag顶电极沉积及测试线路连接，随后对器件的光学与电学特性进行表征。", "数据分析方法": "通过计算有无光照条件下的短路电流获取光电响应度和比探测率，并分析动态响应特性以理解热释光电子效应的作用机制。"}
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光电信息科学与工程实验方案2
1. 实验设计与方法选择：本研究涉及p-Si/n-ZnO异质结构自供电光电探测器的制备，并通过紫外辐照进行改性以减少表面和界面态。利用热释电光电子效应提升器件性能。 2. 样品选择与数据来源：采用p型硅片作为衬底，通过水热法生长ZnO纳米线形成异质结。 3. 实验设备与材料清单：设备包括用于沉积ZnO种子层的射频磁控溅射仪、水热生长用的机械对流烘箱，以及用于紫外辐照和测试的各类激光器。材料包含用于生长ZnO纳米线的Zn(NO3)2和六亚甲基四胺。 4. 实验流程与操作步骤：流程包括清洗硅片、沉积ZnO种子层、生长ZnO纳米线，以及溅射ITO和Ag薄膜作为电极。随后对器件进行紫外辐照以改性其表面态。 5. 数据分析方法：通过I-V和C-V测量、光致发光光谱及吸收光谱分析光电探测器性能，评估紫外辐照对器件光电特性的影响。
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厂家介绍
Kimmon Koha提供较高质量的前沿HECD激光器。为了实现这一目标，他们在内部建造、生产、组装和加工几乎所有的东西。虽然比转包更昂贵，但它允许他们控制整个制造过程并确保较高质量。
Kimmon Koha生产系统的独特能力之一是他们能够从自己的石英矿中加工石英原料，并在内部生产HECD激光管。这些能力为他们的客户转化为更高质量的产品。
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