在现代光电系统和电子电工设备中,光学元件名称的准确识别与理解是确保系统设计、维护及优化的基石。无论是构建精密的光纤通信网络,还是调试复杂的激光加工设备,工程师和技术人员若对各类光纤元件、透镜、滤光片等关键部件的命名规则与功能特性模糊不清,极易导致选型错误、性能下降甚至系统故障。随着半导体器件与光电技术的深度融合,掌握规范的光学元件名称不仅关乎技术沟通的效率,
DP27
The DP27 is a 5 megapixel digital camera for microscopy with high-fidelity color
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概述
参数
- 应用 / Application : Grain Sizing
- 数据接口 / Data Interface : USB 3.0, RS-232, USB 2.0
- 相机类型 / Camera Type : Digital Cameras
- 传感器类型 / Sensor Type : CCD
- 色度 / Chrome : Color, RGB
- 透镜支架 / Lens Mount : C-Mount
规格书
AI 智能分析
该产品已被6篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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范德华外延生长原子级薄二维金属于无悬键WSe?和WS?基底上
范德华外延 场效应晶体管 二维材料 化学气相沉积 过渡金属二硫化物
二维金属因其特殊的物理性质(如电荷密度波、磁性和超导性)近年来备受关注。然而,尽管近期已有一些研究尝试,合成厚度低至单层的超薄二维金属纳米片仍是一项重大挑战。本文报道了以原子级平整的二维WSe?或WS?作为生长衬底,成功制备出厚度可达单层量级的原子级薄二维金属MTe?(M=V、Nb、Ta)单晶,并构建了原子级薄的MTe?/WSe?(WS?)垂直异质结。与相同条件下在SiO?/Si衬底上生长的结果对比表明,采用无悬键的WSe?或WS?作为范德华外延衬底对实现原子级薄MTe?(M=V、Nb、Ta)纳米片至关重要。进一步研究表明,外延生长的二维金属可作为二维半导体的范德华接触层,在界面损伤极小的情况下提升电子性能。本研究为制备超薄二维金属确立了稳健的范德华外延路径,这对这类二维极限新材料的基础研究和潜在技术应用具有重要意义。
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通过通用“盐路线”实现有机硅纳米粒子的简易绿色合成
盐类 微反应器 表面活性剂 有机硅纳米粒子 仿生合成 胶体
胶体二氧化硅应用广泛,特种二氧化硅的全球需求持续增长。因此,开发一种简单、通用、节能、生态友好且易于规?;铣傻姆椒ň哂兄匾庖?。胶体二氧化硅的仿生合成是一种很有前景的策略,但通常需要合成或提取专用大分子。本文提出了一种新型水相、一锅法、绿色的有机硅纳米颗粒合成路线。反应体系仅包含水、有机硅烷前驱体、盐和常用表面活性剂或两亲性聚合物。该反应在环境条件下进行,无需添加任何额外溶剂、能量和强化学品。关键发现包括:新鉴定出5种可催化有机硅缩合并形成纳米胶体的盐类(即亚硝酸盐、氟化物、磷酸氢盐、醋酸盐和亚硫酸盐);此外,在低盐浓度和近中性pH条件下,两亲性分子的存在对盐催化至关重要。固态核磁共振和原位ATR-FTIR研究证实,在温和反应条件下有机硅缩合效率极高。结论表明,本研究证明盐与表面活性剂(或聚合物)之间的"软"相互作用可用于构建合成"硬"有机硅颗粒的有效平台。该方法具有普适性,适用于多种常用表面活性剂(包括非离子型、阴离子型和阳离子型)及两亲性聚合物,也适用于含各种疏水官能团(如巯丙基、乙烯基和甲基)的有机硅烷。
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具有可调厚度和电子特性的单晶CoTe?纳米片的化学气相沉积生长
二维(2D)碲化钴(CoTe2) 电子特性 化学气相沉积(CVD) 金属过渡金属二硫化物(MTMDs)
二维金属过渡金属二硫化物(MTMDs)近期在基础研究及催化、电荷密度波(CDW)、互连器件、自旋扭矩器件和超导体等潜在应用领域引发广泛关注。尽管已有初步探索,原子级薄层MTMDs的厚度可控合成仍面临重大挑战。本研究报道采用常压化学气相沉积(APCVD)方法可控合成具有可调厚度的二维碲化钴(CoTe2)纳米片,并系统研究其厚度依赖的电子特性。所得纳米片呈现规整的六边形或三角形形貌,横向尺寸可达约200微米。通过系统调控生长温度与气体流速的实验表明,纳米片厚度可轻松实现从超过30纳米至3.1纳米的连续调控。X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及高分辨扫描透射电镜(STEM)分析证实所制备的CoTe2纳米片为高质量的六方1T相单晶。电学输运测试显示二维CoTe2纳米片兼具优异导电性(高达4.0×10? S·m?1)与极高击穿电流密度(达2.1×10? A·cm?2),且两者均呈现显著的厚度依赖性。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:采用两步常压化学气相沉积(APCVD)策略实现范德华外延生长。首先在SiO?/Si衬底上生长WSe?或WS?纳米片,随后以其作为衬底生长MTe?(M=V、Nb、Ta)纳米片。该方法利用WSe?/WS?原子级平整且无悬键的表面特性,有效降低扩散势垒并实现超薄生长。 2. 样品选择与数据来源:以预制的SiO?/Si衬底上WSe?或WS?纳米片为生长基底,原料包含指定纯度的金属氯化物(如氯化铌、氯化钽、氯化钒)及碲粉。 3. 实验设备与材料清单:设备包括CVD管式炉、光学显微镜(OM,DP27,OLYMPUS)、原子力显微镜(AFM,Bioscope系统,BRUCKER)、拉曼光谱仪(inVia Reflex,Renishaw,532 nm激光)、透射电子显微镜(TEM,JEM-2100F,JEOL,200 kV工作电压)及器件制备用电子束光刻系统。材料包含SiO?/Si衬底、金属粉末、碲粉、转移用PMMA及NaOH、丙酮等化学品。 4. 实验流程与操作规范:生长过程通过精确控制温度、气体流量(Ar/H?)及生长时间实现,例如NbTe?生长需加热至540°C并通入Ar/H?混合气体。样品表征手段包括OM、AFM、拉曼光谱、光致发光(PL)、TEM及能谱分析(EDS)。器件制备流程涵盖PMMA旋涂、电子束光刻、金属沉积(Cr/Au)及真空环境电学测试。 5. 数据分析方法:通过AFM高度剖面分析厚度分布;利用拉曼与PL光谱鉴定材料物相及异质结形成;通过TEM和选区电子衍射(SAED)评估结晶质量及莫尔条纹;基于标准场效应晶体管公式从电学测量中提取载流子迁移率与开启态电流。
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纳米材料与技术实验方案
1. 实验设计与方法选择:采用常压化学气相沉积(APCVD)法合成CoTe2纳米片。 2. 样品与数据来源:以氯化钴(CoCl2)粉末和碲(Te)粉末为源材料,硅芯片(带285 nm SiO2层)为生长衬底。 3. 实验设备与材料清单:自制CVD系统、光学显微镜(DP27,OLYMPUS)、原子力显微镜(Bioscope系统,BRUCKER)、X射线衍射仪(XRD,D8-Advance)、透射电子显微镜(JEM-2100F,JEOL)及扫描透射电子显微镜(Titan Cubed Themis G2300)。 4. 实验流程与操作步骤:CVD系统通入氩气吹扫,在持续Ar/H2载气下升温至目标温度,维持生长温度后自然冷却。 5. 数据分析方法:通过光学显微镜(OM)和原子力显微镜(AFM)表征纳米片形貌与厚度,XRD测定晶体结构与相纯度,能谱仪(EDX)分析化学成分。
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光电信息材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用直接气相生长法结合微机械剥离技术合成锑掺杂二硫化锡(Sb-SnS2)纳米片,并通过X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)进行表征。 2. 样品选择与数据来源:制备了锑掺杂浓度可控(0.22%、0.34%和1.21%)的SnS2纳米片。 3. 实验设备与材料清单:光学显微镜(DP27,奥林巴斯)、共聚焦显微镜(inVia Reflex,雷尼绍)、透射电子显微镜(JEM-2100F,日本电子)、X射线光电子能谱仪(XPS)。 4. 实验流程与操作步骤:包括Sb-SnS2块体晶体的合成、纳米片的表征、光电晶体管的制备与测量。 5. 数据分析方法:通过电学与光电测量计算载流子迁移率、光电响应度及外量子效率(EQE)。
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焦距: 可选镜头范围 光学接口: C-Mount可调后焦距,支持光谱仪安装,E-Mount可调后焦距(可?。?,可选滤镜支架 线路速率: 最大40kHz
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