在现代光电系统和电子电工设备中,光学元件名称的准确识别与理解是确保系统设计、维护及优化的基石。无论是构建精密的光纤通信网络,还是调试复杂的激光加工设备,工程师和技术人员若对各类光纤元件、透镜、滤光片等关键部件的命名规则与功能特性模糊不清,极易导致选型错误、性能下降甚至系统故障。随着半导体器件与光电技术的深度融合,掌握规范的光学元件名称不仅关乎技术沟通的效率,
PV-3TE series 基于复杂HgCdTe异质结构的红外光伏探测器
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品质保障
严格把控产品质量,呈现理想的光电产品,确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
参数
- 最佳波长λopt / Optimum Wavelength λOpt : 3.0μm, 3.4μm, 4.0μm, 5.0μm, 6.0μm, 8.0μm, 10.6μm
- 探测率D*(λpeak) / Detectivity D*(λPeak) : ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W
- 探测率D*(λopt) / Detectivity D*(λOpt) : ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W
- 电流响应度Ri(λopt) / Current Responsivity Ri(λOpt) : ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/W
- 时间常数τ / Time Constant τ : ≤280ns, ≤200ns, ≤100ns, ≤80ns, ≤50ns, ≤45ns, ≤10ns
- 电阻-有效面积积R·A / Resistance-Active Area Product R·A : ≥240Ω·cm^2, ≥15Ω·cm^2, ≥6Ω·cm^2, ≥0.3Ω·cm^2, ≥0.025Ω·cm^2, ≥0.0004Ω·cm^2, ≥0.0002Ω·cm^2
- 活性元素温度Tdet / Active Element Temperature Tdet : ~210K
- 活性面积A / Active Area A : 0.05×0.05mm, 0.1×0.1mm, 0.05×0.05mm
- 接受角Φ / Acceptance Angle Φ : ~70°
- 窗口 / Window : wAl2O3, wZnSeAR
应用
1. 红外成像 2. 光谱分析 3. 气体检测
特征
1. 基于复杂HgCdTe异质结构 2. 三阶段热电冷却 3. 优化的最大性能 4. 可根据要求优化截止波长 5. 反向偏压提升响应速度和动态范围
图片集
规格书
厂家介绍
VIGO Photonics 是欧洲一家光电子和微电子外延片和仪器制造商,专门生产MWIR和LWIR探测器和???,产品采用内部开发的技术。
VIGO Photonics 的使命是提供快速、方便、易于使用的红外探测器,波长范围从 2 μm到 16 μm,无需低温冷却即可达到基本 BLIP 极限。这些模块具有不同的光谱响应范围、时间响应特性和增益。
VIGO Photonics 拥有完整的半导体高容量仪器前端和后端生产线--从 II-IV 和 III-V 族的外延,到探测器芯片、激光器及其组装和与电子设备的集成。公司不断扩大其市场覆盖范围,目前在美国设有子公司。
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