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APD 0200 -17 InGaAs光电二极管 发光二极管

APD 0200 -17 InGaAs光电二极管

分类： 发光二极管

厂家： ANDANTA GmbH

产地： 德国

型号： APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode

更新时间： 2024-12-19T07:37:41.000Z

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标签：

激光雷达 光电探测器 光纤通信 雪崩光电二极管 高响应性 lnGaAs

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概述

APD0200-17系列lnGaAs雪崩光电二极管，具有高可靠性和高响应性，适用于多个应用领域。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.95-1.65
  • 孔径 / Aperture Size : ?200
  • 正向电流 / Forward Current : ---
  • 工作温度 / Ambient Temperature : -40+85
  • 击穿电压 / Breakdown Voltage : ---
  • 响应度 / Responsivity : 0.7-1
  • 可用增益 / Useable Gain : 8-9
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 0.5-1.5
  • 光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : ---
  • 温度系数 / Temperature Coefficient : ---
  • 最大冷却能力 / Max Cooling Capability : ---

应用

1. 激光雷达 (LIDAR) 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干断层成像 5. 单光子光电探测 6. 隐蔽红外传感

特征

1. 高可靠性平面器件 2. 在0.95-1.65μm范围内高响应性 3. 低泄漏电流和噪声 4. ≥700-MHz 3dB带宽 5. 低杂散吸收

详述

1. 高可靠性平面器件 2. 在0.95-1.65μm范围内高响应性 3. 低泄漏电流和噪声 4. ≥700-MHz 3dB带宽 5. 低杂散吸收

图片集

APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode图1
APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode图2
APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode图3
APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode图4
APD0200-17 lnGaAs Avalanche Photodiode图5

规格书

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询，或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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    芯片材料: InGaN 发光颜色: White 直流正向电流（手电筒模式）: 350mA

    ELCH09-NB5060J8K2283910-FDX是一款高效小型封装的白光LED，具有高光通量和光效，适用于多种照明和指示应用。

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    芯片材料: InGaN 发光颜色: Warm White 直流正向电流（手电筒模式）: 350mA

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