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1.7μm InGaAs PIN光电二极管 发光二极管

1.7μm InGaAs PIN光电二极管

分类： 发光二极管

厂家： ANDANTA GmbH

产地： 德国

型号： 1.7 μm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode

更新时间： 2024-12-20T02:24:24.000Z

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标签：

激光雷达 光学传感器 InGaAs光电二极管 SWIR探测 温度传感器

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概述

1.7 μm波长截止InGaAs PIN光电二极管是一种高可靠性的平面器件，适用于SWIR或VIS-SWIR操作，具有低漏电流、高响应度和低杂散吸收等特点。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.9 - 1.7 / 0.6 - 1.7
  • 孔径 / Aperture Size : ? 950 / ? 1850 / ? 3000
  • 并联电阻 / Shunt Resistance : 25 - 100 / 20 - 80 / 10 - 40 / 5 - 20 / 5 - 20 M?
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 30 - 40 / 30 - 40 / 8 - 15 / 8 - 15 / 4.5 - 6 MHz
  • 响应度 / Responsivity : 0.10 - 0.15 / 0.35 - 0.40 / 0.80 - 0.90 / 0.90 - 0.95 A/W
  • 饱和功率 / Saturation Power : 5.0 - 7.0 / 0.5 - 2 / 2.0 - 4.0 / 0.2 - 0.5 / 1.5 - 3.0 mW
  • 噪声等效功率 / NEP : 1.3 - 2.6 / 2.6 - 5.2 / 2.5 - 5.0 / 6.3 - 12.6 / 4.2 - 8.4 W/√Hz
  • 反向电压 / Reverse Voltage : 20 / 10 / 15 / 10 / 10 V
  • 正向电流 / Forward Current : 10 / 5 / 10 / 5 / 10 mA

应用

1. 功率监测 2. 光谱分析 3. 激光雷达 (LIDAR) 4. 远程温度传感器 5. 湿度检测 6. 冰/雪检测 7. 气体泄漏检测 8. 单光电二极管SWIR检测 9. 隐蔽IR传感 10. 光学供电

特征

1. 高可靠性平面器件 2. SWIR或VIS-SWIR操作 3. 低漏电流 4. 高旁路电阻 5. 高响应度 6. 低杂散吸收

详述

1. 高可靠性平面器件 2. SWIR或VIS-SWIR操作 3. 低漏电流 4. 高旁路电阻 5. 高响应度 6. 低杂散吸收

图片集

1.7 μm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图1
1.7 μm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图2
1.7 μm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图3
1.7 μm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图4

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询，或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    芯片材料: InGaN 发光颜色: White 直流正向电流（手电筒模式）: 350mA

    ELCH09-NB5060J8K2283910-FDX是一款高效小型封装的白光LED，具有高光通量和光效，适用于多种照明和指示应用。

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    芯片材料: InGaN 发光颜色: Warm White 直流正向电流（手电筒模式）: 350mA

    ELAT07-NB2025J5J7293910-F3Y是一款高效小型封装的LED光电产品，具有高光通量和光学效率，适用于多种照明和显示应用。

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