在当今信息安全形势日益严峻的背景下，传统的加密技术正面临巨大挑战。你是否曾好奇，是否存在一种几乎无法被破解的通信方式？“**量子通信的主要工作原理是什么？**”这不仅是一个前沿的科学问题，更是电子电工行业未来发展的关键方向。它利用量子力学的基本原理，如量子叠加和量子纠缠，为信息传输构建了一道天然的安全屏障，其潜力远超基于计算复杂性的经典加密算法。对于从事光纤
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LA LM5659MIV3
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VCSEL 激光器 高性能 光电传感器 红外 移动传感器
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概述
LA LM5659MIV3是一款中红外VCSEL芯片，具有高功率和高效率，广泛应用于移动传感器、光电传感器等领域。
参数
- 芯片高度 / Chip Height : 105-135μm
- 键合焊盘直径 / Bond Pad Diameter : 90μm
- 辐射功率 / Radiant Power : 4000mW
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.85-1.0W/A
- 功率转换效率 / Power Conversion Efficiency : 40%
- 波长漂移 / Wavelength Shift : 0.07nm/°C
- 焊接温度 / Soldering Temperature : 260°C
应用
1. 移动传感器 2. 光电传感器 3. 光学编码器 4. 3D传感
特征
1. 4000 mW VCSEL (@ 4700 mA) 2. 高功率转换效率：40%
详述
1. 4000 mW VCSEL (@ 4700 mA) 2. 高功率转换效率：40%
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厂家介绍
CHIPS 4 Light GmbH的目标客户是对光电元件有特殊要求的公司，并正在寻找中等数量的客户特定解决方案。该公司销售来自领先制造商的LED芯片、LED、探测器和激光产品，并开发特殊的光电元件以及客户特定的?？?根据要求也有自己的ASIC.
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科学论文
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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ES-SMSOPN42B AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
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正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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ES-SMSOPN20R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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Epistar
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ES-SMYLPN14R AlGaInP PN系列LED芯片具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等应用。
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