研究目的
利用太赫兹时域光谱技术通过光谱强度调制测量1040纳米处的有效电光系数。
研究成果
利用太赫兹时域光谱仪通过光谱强度调制测量有效电光系数的方法简单、快速且灵敏度高，与传统方法具有良好的一致性。
研究不足
该方法需要确定入射太赫兹波的电场强度，可能受此测量精度的限制。
1：实验设计与方法选择
太赫兹时域光谱系统采用飞秒掺镱光子晶体光纤放大器作为泵浦源。太赫兹波发射器为3毫米〈110〉晶向切割的磷化镓晶体。发射的太赫兹波输出功率通过高莱探测器表征，波形则通过标准太赫兹时域光谱技术测量。
2：样品选择与数据来源
制备了四种电光材料，包括碲化锌和磷化镓晶体、DAST晶片以及硒化镓薄膜。
3：实验设备与材料清单
高莱探测器(GC-1P, TYDEX)、光谱仪(YOKOGAWA AQ6370B)、飞秒掺镱光子晶体光纤放大器。
4：实验流程与操作步骤
产生的太赫兹辐射通过四个90°离轴抛物面镜收集并聚焦到样品上，进行电光采样以表征太赫兹波的调制振幅和相位。部分探测光束导入光谱仪测量太赫兹波引起的光谱强度变化。
5：数据分析方法
基于光谱强度调制计算电光系数，并与文献数据进行对比。
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