研究目的
研究光门控效应增强型高性能垂直p-PbI2/n-WS2异质结光电探测器的制备与性能。
研究成果
PbI2/WS2异质结构光电探测器展现出高光电响应度和比探测率，这归因于光门控效应。简便的合成方法与优异的性能表明其在未来高性能光电器件中具有应用潜力。
研究不足
该研究受限于PbI2的动力学驱动生长不稳定性，这会影响纳米片的均匀性。光门控效应的效率可能随材料质量和界面特性而变化。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用两步气相沉积法合成PbI2/WS2异质结构，利用WS2作为PbI2生长的衬底以提升材料质量和器件性能。
2：样本选择与数据来源：
在SiO2/Si衬底上合成WS2单层，随后沉积PbI2形成垂直异质结构。
3：实验设备与材料清单：
用于气相沉积的管式炉系统、光学显微镜、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、光致发光测量系统（PL）、透射电子显微镜（TEM）及用于器件制备的电子束光刻（EBL）。
4：实验步骤与操作流程：
WS2在1150°C下生长，PbI2在370°C下沉积，通过EBL进行器件制备，并在真空条件下进行光电特性表征。
5：数据分析方法：
使用探针台和半导体分析仪测量电学与光电特性，通过光电流测量计算光电响应度和外量子效率（EQE）。
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