研究目的
通过比较两种不同前驱体类型，研究带隙梯度对Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池性能的影响。
研究成果
在CIGSe层中，通过使背面具有更宽的带隙（Eg）来实现适当的带隙分级，可以减少与镓相关的缺陷及缺陷团簇的形成，从而提升器件性能。
研究不足
该研究仅限于两种前驱体堆叠顺序，未探索其他潜在构型或材料。硒化过程条件固定，可能并非对所有前驱体类型都最优。
1：实验设计与方法选择：
采用两种前驱体类型制备CIGSe吸收层：Mo/Cu0.75Ga0.25/In/Ga2Se3（CIGSe-1）和Mo/Cu/In/Ga2Se3（CIGSe-2）。前驱体在近密闭石英炉中进行硒化处理。
2：75Ga25/In/Ga2Se3（CIGSe-1）和Mo/Cu/In/Ga2Se3（CIGSe-2）。前驱体在近密闭石英炉中进行硒化处理。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：通过SEM、太阳光模拟器、EQE测试、AS、STEM-EDS和KPFM对样品进行表征。
3：实验设备与材料清单：
SEM仪器（日立公司，型号S-4800）、太阳光模拟器（Newport公司，型号94022A）、SR 830 DSP锁相放大系统（McScience公司）、E4980A LCR表（安捷伦公司）、QUANTAX 200系统（布鲁克公司）及商用AFM仪器（Nanofocus公司，n-Tracer）。
4：0）、太阳光模拟器（Newport公司，型号94022A）、SR 830 DSP锁相放大系统（McScience公司）、E4980A LCR表（安捷伦公司）、QUANTAX 200系统（布鲁克公司）及商用AFM仪器（Nanofocus公司，n-Tracer）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：前驱体沉积于Mo层后进行硒化处理，随后退火，器件其余层依次叠加。
5：数据分析方法：
通过AS确定缺陷能级，利用KPFM分析表面电势特性。
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