研究目的
通过局部阳极氧化（LAO）和两步后蚀刻工艺，在单晶硅表面实现无损的定点可控结构制备新方法研究。
研究成果
该研究成功展示了一种利用LAO和两步后蚀刻技术在单晶硅上制备位置可控结构的非破坏性方法。所制备结构与未处理硅衬底相比导电性无差异，高分辨透射电镜（HRTEM）证实其晶格几乎完美，表明不存在晶体缺陷。该方法为制备非破坏性光学衬底提供了新途径。
研究不足
该制造工艺对实验条件（如相对湿度、温度、施加的正向载荷及摩擦副）高度敏感。该方法需要精确控制蚀刻时间和条件，以实现非破坏性结构。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用局部阳极氧化（LAO）和两步后蚀刻工艺（TMAH与HF溶液），对单晶硅进行无损纳米加工。
2：样本选择与数据来源：
使用Si(100)晶圆，表面处理包括超声清洗及HF溶液蚀刻以获得氢终止硅表面。
3：实验设备与材料清单：
导电原子力显微镜探针（布鲁克SCM-PIC）、原子力显微镜（日立E-Sweep）、高分辨透射电镜（FEI Tecnai G2 F20）、TMAH溶液、HF溶液。
4：0）、TMAH溶液、HF溶液。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：包含氢终止硅表面的LAO加工、TMAH溶液选择性蚀刻及HF溶液氧化层去除。
5：数据分析方法：
通过导电AFM检测导电性，利用HRTEM进行微观结构分析。
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AFM
Hitachi E-Sweep
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Measuring surface root-mean-square (RMS) roughness of silicon wafers
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Conductive AFM probe
Bruker SCM-PIC
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Fabricating the nanostructure via local anodic oxidation (LAO)
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