研究目的
利用等离子体电镀法制备的银纳米粒子（AgNPs）光栅结构检测过氧化氢（H2O2）的光学方法研究。
研究成果
结合干涉激光曝光的等离子体镀膜技术能够制备用于过氧化氢检测的银栅结构传感器芯片。该方法采用简单的光学装置测量衍射强度变化，具有小型化潜力并适用于便携式设备。
研究不足
该方法的灵敏度与pH值相关，在pH 4和pH 9时灵敏度降低。该方法还可能与氯化钠和人血清等化合物发生交叉反应。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用等离子体镀膜法结合干涉激光曝光，在金纳米颗粒修饰的玻璃板上制备银纳米颗粒光栅结构用于过氧化氢检测。
2：样本选择与数据来源：
通过磁控溅射金薄膜并在玻璃板上退火制备金纳米颗?；?，利用绿色激光束的干涉曝光装置构建银纳米颗粒光栅结构。
3：实验设备与材料清单：
包括绿色激光器（MSL-III-532，CNI）、电动直线平移台（HPS80-50X-M5，Sigma Koki）、机械快门（F573，Suruga Seiki）及便携式测量系统（含红色激光器CPS635R，Thorlabs和CCD相机UI-2410SE-M-GL，IDS）。
4：实验流程与操作步骤：
通过干涉激光曝光制备银纳米颗粒光栅结构，施加过氧化氢后通过测量衍射强度变化实现检测。
5：数据分析方法：
采用RCWA模拟分析衍射强度变化，使用CCD相机测量时间序列强度变化。
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green laser
MSL-III-532
CNI
Used for interference exposure in the plasmonic plating method to fabricate AgNP grating structures.
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motorized linear translation stages
HPS80-50X-M5
Sigma Koki
Used to control the XY position of the AuNP substrate during interference exposure.
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red laser
CPS635R
Thorlabs
Used in the portable measurement system to irradiate the AgNP grating chip for diffraction intensity measurement.
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CCD camera
UI-2410SE-M-GL
IDS
Used to measure the diffracted laser beam intensity in the portable measurement system.
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mechanical shutter
F573
Suruga Seiki
Used to regulate the interference exposure time.
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