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等离子体诱导热电子转移实现近红外快速光电转换

DOI:10.1002/adma.201903829 期刊:Advanced Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 界面电荷转移是光电转换中一个基础且关键的过程。若电荷转移速度不足,载流子收集会与冷却、捕获和复合等竞争性弛豫路径相互制约,这些过程会显著影响光电转换的速度和效率。本研究阐明,等离子体激元诱导的氧化亚钨向石墨烯的热电子转移(HET)是一个足够快速的过程,可有效抑制载流子冷却与捕获?;诟没乒菇ǖ慕焱馓讲馄飨煊λ俣缺瘸9娲叩缱幼破骷烊鍪考叮夷芡黄蒲趸俏僭?.8电子伏特带隙的光谱限制,将光响应范围拓展至1550纳米(约0.8电子伏特)通信波段。这些结果表明,等离子体激元诱导的HET为实现高效高速光电器件提供了新策略。
作者: Yuanfang Yu,Yue Sun,Zhenliang Hu,Xuhong An,Dongming Zhou,Hongzhi Zhou,Wenhui Wang,Kaiyang Liu,Jie Jiang,Dandan Yang,Zainab Zafar,Haibo Zeng,Fengqiu Wang,Haiming Zhu,Junpeng Lu,Zhenhua Ni
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研究概述 实验方案 设备清单

研究等离子体诱导的热电子转移(HET)在实现高速光电转换和突破半导体带隙光子能量极限方面的功能。

研究表明,HET是实现高速光电转换并突破半导体带隙光子能量极限的有效策略。在WO2.9-石墨烯异质结构上实现了具有快速检测速度且光谱响应扩展至通信波段(1550 nm)的近红外光电探测器。其优异性能得益于从WO2.9纳米结构到石墨烯沟道的HET效应。

WO2.9-石墨烯光电探测器的响应时间仍远长于HET的转移时间,以及石墨烯通道中的载流子渡越时间,这可能是由于界面处不可避免的表面态辅助复合所致。

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