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采用Silvaco TCAD模拟器对微晶硅叠层太阳电池的性能研究

DOI:10.1007/s42341-019-00136-4 期刊:Transactions on Electrical and Electronic Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 本文研究了微晶硅叠层太阳能电池(非晶硅:氢化非晶硅/a-Si:H/微晶硅:氢化微晶硅/μc-Si:H)在串联(两端:2T)和独立(四端:4T)电连接方式下的数值模拟。研究采用Silvaco TCAD仿真软件进行,同时考虑了标准全球太阳光谱(AM1.5G)下工作的电池初始(未退化或退火)状态与光致退化状态(非晶硅中著名的Staebler-Wronski效应)。在两个子电池的本征(i)层厚度及载流子迁移率的影响下,对2T和4T器件进行了优化。通过增加两个子电池的i层厚度,2T微晶叠层电池显示出最优转换效率??分别为10%(初始状态)和7.77%(退化状态)。4T结构在初始状态下表现出相对更好的??值10.94%,退化后仅降至9.59%。通过提高自由载流子迁移率(尤其是顶部电池i层),进一步改善了2T和4T电池的输出参数。由此4T器件也实现了更优的??值,初始状态达12.31%,退化后仅降至11.43%。而2T结构达到的改进效率分别为初始状态11.87%和退化状态10.41%。
作者: A. F. Bouhdjar,M. Adaika,Am. Meftah,R. Boumaraf,Af. Meftah,N. Sengouga
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研究概述 实验方案 设备清单

采用Silvaco TCAD软件进行数值模拟,研究微晶硅叠层太阳电池在串联(2T)和独立(4T)电连接方式下,初始状态与光致衰减状态的性能表现。

微晶硅叠层太阳能电池的4T结构相比2T结构表现出更优的性能,具有更高的转换效率和更低的衰减效应。优化本征层厚度和自由载流子迁移率可显著提升太阳能电池的性能。

该研究基于数值模拟,可能无法完全反映所有现实条件和变化。优化仅针对特定参数(i层厚度和自由载流子迁移率),而其他影响太阳能电池性能的因素可能未被考虑。

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