研究目的
提出并模拟一种与微LED集成的2T1C结构HEMT驱动电路的均质集成方法。
研究成果
提出了一种新的2T1C结构HEMT驱动电路与微LED的同质集成方法，该方法可提升晶体质量并增大发光面积。此方法或能解决大规模转移问题，在未来显示屏制造中具有应用潜力。
研究不足
该研究基于模拟，需要实际制造和测试来验证所提出的方法。集成过程可能在材料生长和器件制造方面面临挑战。
1：实验设计与方法选择：
该集成方法涉及在蓝宝石衬底上生长氮化镓，通过光刻、蚀刻等步骤制作HEMT驱动电路，随后在背面集成LED。
2：样品选择与数据来源：
HEMT和LED均采用氮化镓基材料。
3：实验设备与材料清单：
使用Silvaco软件进行仿真，MOCVD用于材料生长，EBL和FIB用于图案化和蚀刻。
4：实验步骤与操作流程：
在蓝宝石衬底上生长AlN缓冲层，随后依次生长GaN和AlGaN形成HEMT结构，进行图案化和蚀刻，去除蓝宝石衬底，最后在背面生长LED结构。
5：数据分析方法：
通过分析仿真结果评估该集成方法的可行性。
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Silvaco
Silvaco
Simulation software for the integration method of HEMT driver circuit with micro LEDs.
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MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor Deposition for material growth.
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EBL
Electron Beam Lithography for patterning.
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FIB
Focused Ion Beam for etching and filling.
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