研究目的
研究CMOS兼容的超富硅氮化物(USRN)波导中光脉冲的孤子效应时间压缩。
研究成果
该研究展示了在超短非线性响应(USRN)波导中实现光学脉冲的显著时间压缩,在低脉冲能量下达到了8.7倍的压缩系数。数值计算结果证实了这一发现,突出了波导的大非线性和可忽略的双光子吸收是关键因素。未来优化有望提高压缩系数和脉冲质量。
研究不足
在高输入脉冲能量下脉冲基座的存在以及波导的传播损耗(3 dB/cm)可能会限制压缩过程的质量因数和能量效率。
研究目的
研究CMOS兼容的超富硅氮化物(USRN)波导中光脉冲的孤子效应时间压缩。
研究成果
该研究展示了在超短非线性响应(USRN)波导中实现光学脉冲的显著时间压缩,在低脉冲能量下达到了8.7倍的压缩系数。数值计算结果证实了这一发现,突出了波导的大非线性和可忽略的双光子吸收是关键因素。未来优化有望提高压缩系数和脉冲质量。
研究不足
在高输入脉冲能量下脉冲基座的存在以及波导的传播损耗(3 dB/cm)可能会限制压缩过程的质量因数和能量效率。
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