研究目的
为开发低损耗、宽带射频(RF)互连技术,以实现毫米级长度的互连与交叉结构,从而支持更高密度的光子集成电路(PICs)。
研究成果
可行性研究表明,在n型掺杂磷化铟衬底上成功制备了低损耗射频互连结构,实现了高达67 GHz的3 dB带宽,且衰减值低至0.5 dB/毫米。通过调节信号线宽度可对阻抗进行调控。
研究不足
该研究聚焦于低损耗射频线路集成的可行性,但未广泛探讨可扩展性或大规模生产方面的挑战。
研究目的
为开发低损耗、宽带射频(RF)互连技术,以实现毫米级长度的互连与交叉结构,从而支持更高密度的光子集成电路(PICs)。
研究成果
可行性研究表明,在n型掺杂磷化铟衬底上成功制备了低损耗射频互连结构,实现了高达67 GHz的3 dB带宽,且衰减值低至0.5 dB/毫米。通过调节信号线宽度可对阻抗进行调控。
研究不足
该研究聚焦于低损耗射频线路集成的可行性,但未广泛探讨可扩展性或大规模生产方面的挑战。
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您正在对论文“[IEEE 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 法国昂热 (2019.7.9-2019.7.13)] 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 高速密集光子集成电路的射频互连技术”进行纠错
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