研究目的
研究将超表面与未冷却的红外（IR）硅锗氧化物（Si-Ge-O）微测辐射热计集成，用于长波红外（LWIR）探测，以提高红外吸收率和电学性能。
研究成果
超表面与硅锗氧微测辐射热计的集成显著提升了红外吸收率和电学性能，包括提高温度系数电阻（TCR）和降低电阻率。真空退火有效降低了噪声，增强了器件的响应率和探测率。这些发现表明其在非制冷热成像领域具有广阔的应用前景。
研究不足
该研究聚焦于特定像素尺寸（40×40微米2）和材料成分（硅锗氧），这可能限制研究结果对其他尺寸或材料的普适性。通过真空退火实现的降噪需要精确控制，且可能不易扩展应用。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及超表面集成非制冷红外微测辐射热计的设计与制备。该超表面经过工程设计可高效吸收红外辐射，无需使用四分之一波长谐振腔。
2：样品选择与数据来源：
采用硅和锗靶材在氧气与氩气环境中共沉积法制备非晶硅锗氧薄膜。
3：实验设备与材料清单：
包括用于沉积的射频磁控溅射仪、用于超表面的六方密堆积铝盘阵列，以及微测辐射热计制备所需各类材料。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包含图案化、沉积和剥离工艺，随后在真空环境中退火以降低噪声。
5：数据分析方法：
通过研究电阻-温度特性确定温度系数（TCR）和电阻率，并进行噪声测量以评估器件性能。
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