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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 盖层生长温度对In<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As量子点激发自旋特性的影响

DOI：10.1109/iciprm.2019.8819188 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 我们通过光致发光（PL）光谱研究了覆盖层生长温度对In0.5Ga0.5As量子点（QDs）光学自旋特性的影响，包括圆偏振度（CPD）的行为变化。随着覆盖层生长温度降低，基态的PL能量向低能方向移动，这是由于量子点内部In组分增加所致。量子点激发态PL强度的温度依赖性显示，随着覆盖层生长温度降低，其热激活能增大，表明电子从量子点向势垒的热逃逸受到抑制。此外，我们观察到与PL能量降低相关的CPD光谱峰向低能方向移动，其中较高的CPD值可确保这些在不同覆盖层生长温度下生长的量子点具有高质量。
作者： Yuto Nakamura，Satoshi Hiura，Shino Sato，Junichi Takayama，Akihiro Murayama
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过光致发光（PL）光谱研究覆盖层生长温度对In0.5Ga0.5As量子点（QDs）光学自旋特性的影响，包括圆偏振度（CPD）的行为表现。

研究成果

降低覆盖层生长温度会增加量子点内部的铟组分，导致光致发光能量向低能方向移动，并抑制电子从量子点激发态向势垒的热逃逸。较高的接触电位差值表明在不同覆盖层生长温度下生长的量子点具有高质量。

研究不足

该研究仅限于In0.5Ga0.5As量子点，未探索其他组分或材料。覆盖层生长温度的影响是在特定范围（500-440°C）内研究的，这些发现可能不适用于此范围之外。

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