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基于富勒烯的、受定向外电场调控的分子开关二极管

DOI:10.1021/jacs.9b07215 期刊:Journal of the American Chemical Society 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 我们采用多尺度计算机模拟技术,提出基于内嵌富勒烯(富勒烯开关二极管,FSD)的分子二极管设计方案——通过封装MX型极性分子(M为金属,X为非金属)实现数据存储与处理功能。研究表明,在MX@C70体系中,施加定向外电场可调控内嵌MX分子相对于系统电极组的相对方位。我们设计了双端/四端电极系统:源极与漏极既导通电流,又通过施加电压促使FSD在导电态间切换;当源漏极间电压不足以驱动富勒烯内MX分子转向时,栅极可通过稳定转换过程的过渡态来降低局部极小值间的能垒,从而辅助实现开关功能。结合非平衡格林函数与密度泛函理论(DFT-NEGF)的计算进一步证实,MX@C70体系的导电性取决于笼内MX分子相对于电极的方位角。因此通过电压调控既能强制设定("写入")又能读?。?#34;读出")C70笼内MX分子的取向状态。该体系展现出类似分子忆阻器的电压敏感型开关分子二极管特性。
作者: Adam Jaros,Esmaeil Farajpour Bonab,Michal Straka,Cina Foroutan-Nejad
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研究概述 实验方案

研究利用定向外电场控制基于内嵌富勒烯的分子二极管,以实现数据存储与处理。

研究表明,MX@C70体系可作为电压敏感型分子开关二极管,其内部MX的取向可通过外电场梯度(OEEF)调控。该体系在随机存取存储器和忆阻器应用方面展现出良好前景。

该研究属于理论性研究,依赖于计算机模拟建模。所提出系统的实际制备与实验验证仍有待开展。高外电场效应对MX@C70体系氧化作用的影响尚未得到充分探究。

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