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通过碳纳米点掺杂实现激光辅助石墨烯晶格恢复

DOI:10.1002/smll.201904918 期刊:Small 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 制备高度取向的石墨烯是制约其在技术应用中充分发挥潜力的主要挑战。由于晶格缺陷阻碍电荷迁移,石墨烯的优异性能在实际块体材料中难以体现。本研究提出一种通过激光辐照碳纳米点(CNDs)与三维石墨烯复合材料来提升石墨烯结构完整性的简易方法:碳纳米点会附着于石墨烯片层的缺陷位点,在激光辅助还原作用下修复碳晶格缺陷。光谱实验显示石墨化结构恢复率达43%,电导率较原始石墨烯提升四倍。该复合材料作为电化学电容器电极测试时,展现出低至0.57毫秒的超快RC时间常数。得益于极低的缺陷浓度,还原氧化石墨烯-碳纳米点(rGO-CND)复合材料的频率响应速度足以作为交流线路滤波器运行,有望替代现有电解电容器?;诟梅椒?,我们开发出具有68.8 mF cm?2面电容的新型线路滤波器,其电容响应速度创下同类报道最快纪录。该成果凸显了结构完整性对优化石墨烯电子应用的决定性作用。
作者: Arie Borenstein,Volker Strauss,Matthew D. Kowal,Mackenzie Anderson,Richard B. Kaner
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通过选择性地将碳纳米点(CNDs)引入石墨烯晶格的缺陷位点,随后采用激光辅助还原法消除并修复缺陷片段,最终实现还原后的碳纳米点与石墨烯晶格的整合。

所开发的方法成功修复了石墨烯晶格中的缺陷片段,使电导率提升四倍,并展现出在电化学应用中实现超快循环的潜力。rGO-rCND复合材料具有快于1毫秒的弛豫时间,适用于需要超高电流频率的电子系统中替代电解电容器。

该方法的有效性受到缺陷位点被碳纳米点饱和的限制,超过这一限度后,多余的碳纳米点会形成导电性较差的rCND颗粒,这些颗粒并未整合到石墨烯材料中。

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