研究目的
审查将InGaAs量子点单光子源集成到GaAs半导体光子芯片中以实现高纯度和不可区分性的单光子发射的进展情况。
研究成果
将InGaAs量子点单光子源集成于GaAs光子芯片中，并结合共振激发，可观测到珀塞尔效应，从而实现高纯度与不可区分性的单光子发射。该方法为开发片上量子光子电路提供了可行途径。
研究不足
该研究聚焦于量子点单光子源在砷化镓光子芯片中的集成，未涉及其他材料平台或系统向更多光子数扩展的可扩展性。
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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥市(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 芯片上不可区分的单光子源
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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥市(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 芯片上不可区分的单光子源
DOI：10.1109/IPCon.2019.8908504
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
综述了InGaAs量子点单光子源在GaAs半导体光子芯片中的集成进展。通过共振激发，在光子晶体纳米腔中的量子点观测到低至23皮秒的辐射寿命，从而实现了兼具高纯度和不可区分性的单光子发射。
作者：
A. Mark Fox
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