研究目的
研究等离子体晶体中点缺陷态的产生及其与晶体能带结构的关系。
研究成果
揭示了PlBG的能带结构与缺陷模式之间的关系，并给出了缺陷模式的形成模型。通过引入平坦区域，位于第一能带最高能级的带边模式能级升高，从而在带隙能量范围内形成了修正模式。缺陷模式在双环结构中已经形成，这与环结构周期性的出现相吻合。
研究不足
该研究受限于电子能量损失谱（EELS）测量的技术约束，包括对高空间和动量分辨率的需求。远场技术的适用性在第二能带以上受限，若缺陷模式的能级位于第一带隙内，则预计其不会产生辐射。
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等离子体晶体中点缺陷态的出现
DOI：10.1103/PhysRevB.100.245402
期刊：Physical Review B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
众所周知，等离子体晶体具有包含带隙的能带结构，能够实现对表面等离子体传播与限制的调控?？樘寰宓哪艽⒐叵低ǔＭü冻」庋Ъ际醯亩糠直婀馄追ú饬?，而晶体中引入的缺陷迄今则主要采用近场成像技术进行研究。特别是等离子体带隙中引入的缺陷相关能级尚未通过实验观测到。为研究此类局域模式，我们对由金属薄膜上凸起排列成三角晶格的扁平圆柱体构成的等离子体晶体中的点缺陷进行了电子能量损失谱(EELS)测试。观测发现该缺陷模式的能级位于完整带隙能量范围内，这一结果通过对该等离子体晶体带隙进行的动量分辨EELS测量得到验证。此外，我们通过从扁平圆柱体凸起围栏结构出发，逐步添加外层圆柱体直至最终形成包含单一点缺陷的等离子体带隙晶体的方式，从实验和理论两方面研究了缺陷态的形成过程。研究表明，仅由两层结构构成的晶体就已形成类缺陷态。
作者：
Hikaru Saito，Hugo Louren?o-Martins，Noémie Bonnet，Xiaoyan Li，Tracy C. Lovejoy，Niklas Dellby，Odile Stéphan，Mathieu Kociak，Luiz Henrique Galv?o Tizei
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