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[IEEE 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 加拿大安大略省渥太华(2019.7.8-2019.7.12)] 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - InGaAs/InP p-I-n测试结构模型校准

DOI：10.1109/nusod.2019.8807002 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 采用不同面积的防护测试结构，在室温下对InGaAs/InP双异质结p-I-n结进行数值校准，通过研究少数载流子扩散、耗尽区产生及边缘（分流）漏电的贡献实现。测得边缘漏电为0.5 pA/cm，耗尽区贡献为2.2 nA/cm2；体区扩散贡献通过?；せ放懦山馕黾扑阄?.0 nA/cm2。在数值建模环境中复现实验测试结构后，通过校准扩散长度和SRH寿命参数即可精确复现实验数据。
作者： A. W. Walker，O. Pitts，C. Storey，P. Waldron
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

为探究InGaAs/InP二极管暗电流的合理模型校准方法，这些暗电流源于肖克利-里德-霍尔（SRH）机制通过空间电荷区产生、中性InGaAs区域的体扩散以及边缘漏电。

研究成果

通过一个根据实验结果校准的数值模型，研究了周长效应对暗电流的贡献。强调了保护环的重要性，包括来自InGaAs材料中性区扩散的影响。

研究不足

周界泄漏取决于制造最终器件所采用的工艺，且可能因晶圆不同区域而异，甚至在不同晶圆间也存在差异。要评估这些因素各自的贡献（而非仅关注最佳晶圆上的最优器件），统计数据至关重要。

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