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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 直接生长于CMOS兼容硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器

DOI：10.1109/IPCon.2019.8908327 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 我们首次报道了直接生长于与CMOS兼容的轴向硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器(QD-SOA)。该QD-SOA长度为3600微米，从4微米渐变至5.5微米，可实现29分贝的片上增益和22.8分贝毫瓦的饱和输出功率，同时具有最低7分贝的光纤到光纤噪声系数。
作者： Songtao Liu，Justin Norman，Mario Dumont，Paolo Pintus，Minh Tran，Daehwan Jung，Alfredo Torres，Arthur Gossard，John Bowers
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

为展示首个直接生长于与CMOS兼容的轴向硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器（QD-SOA），旨在丰富未来大规模硅基电子与光子集成电路（EPICs）的光子元件库。

研究成果

在CMOS兼容硅衬底上直接生长的O波段量子点半导体光放大器（QD-SOA）展现出高增益和饱和输出功率的特性，这一成果显著丰富了光子元件库，将提升未来大规模硅基EPICs的性能。

研究不足

该研究的局限性在于可调谐光源的扫描范围，仅能对基态（GS）附近的波长增益进行表征。通过解决耦合损耗和串联电阻问题，该器件的性能有望得到进一步优化。

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