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导电聚合物诱导n型硅中反型层的直接观测及其与太阳能电池性能的关联

DOI:10.1002/adfm.201903440 期刊:Advanced Functional Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 通过光电子能谱研究了超薄导电聚合物[聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐—PEDOT:PSS]薄膜与n型晶体硅形成的异质结。PEDOT:PSS沉积后Si 2p芯能级的大幅偏移证明硅内部形成了无掺杂p-n结(即反型层)。在研究的PEDOT:PSS配方中,PH1000(高PEDOT含量)结合润湿剂和溶剂添加剂二甲基亚砜(DMSO)时,在硅中诱导出最大的能带弯曲(0.71 eV)。不含DMSO时,诱导能带弯曲减小,高PSS含量的PEDOT:PSS配方也存在同样情况。界面能级排列与PEDOT:PSS/n-Si太阳能电池的特性高度吻合,其中高聚合物导电性和充分的硅钝化也是实现高功率转换效率的必要条件。
作者: Rongbin Wang,Yusheng Wang,Chen Wu,Tianshu Zhai,Jiacheng Yang,Baoquan Sun,Steffen Duhm,Norbert Koch
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研究利用超薄导电聚合物薄膜在n型晶体硅中形成无掺杂p-n结及其与太阳能电池性能的关联。

PEDOT:PSS在n型硅中诱导出显著的能带向上弯曲,形成反型层。添加DMSO并提高PEDOT含量会增大能带弯曲幅度,这与太阳能电池性能的提升相关。实现高功率转换效率的关键在于硅表面的充分钝化以及聚合物层的高导电性。

该研究的局限性在于,由于PEDOT:PSS层厚度超过了光电子平均自由程,使得通过XPS测量硅芯能级存在挑战。此外,PEDOT:PSS的增量沉积在实际操作中不易实现,这影响了超薄膜的均匀性及针孔的形成。

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