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基于ZnO的透明忆阻器器件中由薄膜纳米结构控制的可擦除-不可擦除转换转变:溅射压力依赖性

DOI:10.1021/acsaelm.9b00617 期刊:ACS Applied Electronic Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 我们发现一次写入多次读取(WORM,不可擦除)到可重写(可擦除)的转变现象源于丝状结构的不同,而这种结构由沉积薄膜的晶粒取向决定。本文还讨论了这种开关转变的导电机理及其对各种氧化锌纳米结构突触行为的影响。此外,我们的WORM器件具有可编程的物理损伤功能,可用于安全系统防范数据窃取、黑客攻击及软硬件非法使用。本研究提出了基于氧化锌的不可见电子应用非易失性存储器,并为WORM和可重写存储器的设计提供了有价值的见解。
作者: Firman Mangasa Simanjuntak,Takeo Ohno,Seiji Samukawa
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研究概述 实验方案 设备清单

研究基于氧化锌忆阻器器件的开关特性及其在非易失性存储器和安全系统中的潜在应用。

基于氧化锌的忆阻器器件的开关特性由氧化锌薄膜的纳米结构决定。采用低溅射压力制备的器件呈现WORM(一次写入多次读?。┐娲⑻匦?,而采用较高溅射压力制备的器件则表现出可重复的开关特性。本研究为AZO/ZnO/ITO器件结构在隐形非易失性数据存储应用中的潜在用途提供了可能,并为设计基于氧化锌的WORM和可重写存储器提供了思路。

该研究聚焦于基于氧化锌的忆阻器器件及其开关特性,这些可能并不直接适用于其他材料或器件结构。虽然制备方法较为简单,但可能需要针对高密度数据存储应用进行优化。

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