研究目的
研究基于氧化锌忆阻器器件的开关特性及其在非易失性存储器和安全系统中的潜在应用。
研究成果
基于氧化锌的忆阻器器件的开关特性由氧化锌薄膜的纳米结构决定。采用低溅射压力制备的器件呈现WORM(一次写入多次读?。┐娲⑻匦?,而采用较高溅射压力制备的器件则表现出可重复的开关特性。本研究为AZO/ZnO/ITO器件结构在隐形非易失性数据存储应用中的潜在用途提供了可能,并为设计基于氧化锌的WORM和可重写存储器提供了思路。
研究不足
该研究聚焦于基于氧化锌的忆阻器器件及其开关特性,这些可能并不直接适用于其他材料或器件结构。虽然制备方法较为简单,但可能需要针对高密度数据存储应用进行优化。
1:实验设计与方法选择:
本研究通过调节溅射沉积过程中的工作压力来控制ZnO薄膜的纳米结构特性。选择射频(RF)溅射技术因其具有无毒、低温、低成本和高重现性的工艺特点。
2:样品选择与数据来源:
将纯ZnO薄膜在不同工作压力(0.11、0.2、0.4和0.8 Pa)下溅射沉积于商用氧化铟锡(ITO)/玻璃基底上。
3:4和8 Pa)下溅射沉积于商用氧化铟锡(ITO)/玻璃基底上。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:AZO顶电极和ITO底电极的厚度分别为286 nm和105 nm。使用半导体器件分析仪(B1500,安捷伦科技有限公司)分析器件的电学特性。
4:实验步骤与操作流程:
在正偏压扫描过程中,顶电极施加电压偏置,底电极接地,同时保持电流限制为1 mA。
5:数据分析方法:
分析了开关转变的导电机理及其对不同ZnO纳米结构中突触行为的影响。
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