研究目的
研究边缘接触几何结构在偏置条件下提升响应缓慢且具有持续光电导特性的光敏器件性能的效率。
研究成果
边缘接触几何结构在?5 V和+5 V电压下展现出<40毫秒范围的快速光响应速度，为正偏压条件下异质结构界面的持续光电流行为提供了有效解决方案。
研究不足
该研究未涉及边缘接触几何结构在工业应用中的长期稳定性和可扩展性问题。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用市售MOCVD法制备的GaN衬底与自制还原氧化石墨烯（r-GO）材料构建异质结构结，通过边缘接触构型实现异质结构界面的电学接入。
2：样品选择与数据来源：
使用位错密度约2×10? cm?2、体载流子浓度5-7×101? cm?3的GaN衬底。将氧化石墨烯溶液滴涂于GaN衬底并热处理形成r-GO。
3：实验设备与材料清单：
设备包含集成单色仪、光源的Bentham PV300系统、Keithley源表（2635B）及滨松光子学R13456光电倍增管；材料包括GaN衬底与r-GO。
4：实验流程与操作步骤：
将氧化石墨烯溶液滴涂于GaN衬底干燥后热处理，通过银浆点接触异质结构界面区域进行电学测量。
5：数据分析方法：
在不同偏压下测量直流光响应，并分析瞬态光响应特性。
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获取完整内容-
Keithley source meter
2635B
Keithley
Source meter for electrical measurements
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Hamamatsu Photonics R13456
R13456
Hamamatsu Photonics
Photomultiplier tube for light intensity calibration
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Bentham PV300
PV300
Bentham
Integrated setup with monochromator, light source for photoresponse measurement
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