研究目的
首次引入一种低损耗、宽带的同轴线到充气基片集成波导（AFSIW）的过渡结构，旨在通过消除先前报道的AFSIW组件中额外的过渡环节来减小尺寸和降低损耗。
研究成果
所提出的同轴线到AFSIW的过渡结构通过消除额外过渡环节降低了损耗和尺寸，仿真与实测结果具有良好的一致性。
研究不足
仿真与测量之间的差异可能是由于SMA连接器的插入损耗以及制造误差（如层间错位和可能存在的空气间隙）所致。
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低损耗宽带同轴线到充气基片集成波导的过渡结构
DOI：10.1049/el.2019.1494
期刊：Electronics Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
本文首次提出了一种低损耗、宽带同轴线到充气基片集成波导（AFSIW）的过渡结构。该过渡结构采用三层介质基板制作：同轴线内导体连接下层基板的金属层，外导体连接上层基板的金属层。通过在传输线末端采用锥形渐变结构，实现了更优的阻抗匹配和更宽的匹配带宽。在以往报道的AFSIW器件中，需要多个过渡结构将同轴线的横电磁模转换为AFSIW结构的TE10模。本方案通过该新型过渡结构消除了这些额外过渡环节，从而减小了器件尺寸和损耗。为验证性能，制作了背靠背同轴线-AFSIW过渡原型并在整个C波段进行了测试，仿真与实测结果吻合良好。该过渡结构在4-8GHz频段实测插入损耗为0.55±0.5dB（过渡部分0.28±0.25dB），回波损耗优于-11dB。
作者：
A.-R. Moznebi，A. Arsanjani，K. Afrooz，P. Mousavi
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