研究目的
研究利用喷墨打印顶发射量子点发光二极管(QLED)制造高分辨率QLED显示器，并将其性能与传统底发射器件进行比较。
研究成果
该研究成功证明，通过优化腔长和控制沉积形貌，喷墨打印的热电量子点发光二极管（TE QLEDs）相比背电极（BE）器件可实现显著更高的电流效率，为大规模、高分辨率量子点发光二极管（QLED）显示器铺平了道路。
研究不足
该研究承认，由于咖啡环效应以及为优化器件性能需要对功能层厚度进行精确控制，通过喷墨打印实现均匀薄膜存在挑战。
1：实验设计与方法选择：
本研究聚焦于通过喷墨打印制备顶发射量子点发光二极管（QLED），并通过优化腔长提升器件性能。
2：样品选择与数据来源：
采用预图案化的ITO/Ag/ITO镀膜玻璃基板，配合低表面能隔垫物将墨水限制在像素区域内。
3：实验设备与材料清单：
喷墨打印设备、真空蒸镀腔室、氮气手套箱、用于封装的紫外光固化环氧树脂。
4：实验步骤与操作流程：
在优化条件下依次通过喷墨打印沉积空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）及量子点层，随后真空蒸镀有机功能层并完成封装。
5：数据分析方法：
测量并对比顶发射（TE）与底发射（BE）QLED的电流效率、亮度等性能参数。
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