研究目的
利用激光烧结研究碳和硅形成碳化硅的过程，并分析反应烧结碳化硅的微观结构和晶体相。
研究成果
研究表明，采用Nd:YAG激光烧结SiC时，根据激光功率不同可形成致密SiC层，其晶粒尺寸在100-500纳米至1-3微米之间变化。低激光功率下鉴定的SiC晶相为β相，高激光功率下则为α-SiC相。
研究不足
研究发现，单次激光扫描不足以完全形成碳化硅，该反应仅在五次激光扫描后才完成。激光仅从表面穿透了几微米，下方的粉末混合物未发生变化。
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使用Nd:YAG激光快速反应烧结碳化硅
DOI：10.2109/jcersj2.18191
期刊：Journal of the Ceramic Society of Japan
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
采用连续波Nd:YAG激光作为热源研究了碳化硅(SiC)的反应烧结过程。实验中在氩气氛围下，用激光辐照化学计量比的Si与C粉末混合压坯。当激光功率适当时，会形成由100-500纳米晶粒构成的致密SiC层，该层厚度达数微米。激光功率较低时，会形成细小的SiC晶粒并分散在未反应的Si-C基体中；而功率较高时，则会形成较大的多面体SiC晶粒(1-3微米)。
作者：
Satoshi SUEHIRO，Teiichi KIMURA
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