研究目的
研究二维材料在中红外(MIR)光子学和光电子学中的应用,重点关注超快光源产生、中红外光调制及光电探测。
研究成果
二维材料因其可调带隙、高载流子迁移率及易于集成等独特特性,在中红外光子学应用中展现出巨大潜力。要实现高度集成的中红外光子芯片,持续推动材料合成、器件制备及理论建模的进步至关重要。
研究不足
该综述重点阐述了制备高质量二维材料与异质结构、理解衬底影响以及开发高度集成中红外光子芯片新型制备工艺所面临的挑战。
研究目的
研究二维材料在中红外(MIR)光子学和光电子学中的应用,重点关注超快光源产生、中红外光调制及光电探测。
研究成果
二维材料因其可调带隙、高载流子迁移率及易于集成等独特特性,在中红外光子学应用中展现出巨大潜力。要实现高度集成的中红外光子芯片,持续推动材料合成、器件制备及理论建模的进步至关重要。
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该综述重点阐述了制备高质量二维材料与异质结构、理解衬底影响以及开发高度集成中红外光子芯片新型制备工艺所面临的挑战。
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